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在无定形SiO2非晶材料红外波段反常色散区介电常数研究中，复合高斯振子模型是介电常数重要的色散模型之一，复合振子中振子的数量和物理意义是重要的研究内容.基于化学计量学中的因子分析技术，提出将SiO2薄膜特征振动峰的数量等效为化学组分的振子数量的方法.采用离子束溅射沉积方法制备了厚度分别为100，200，，800 nm的8种SiO2薄膜样品，以这8个样品的红外光谱透射率作为光谱矩阵元素.通过因子分析技术确定了400-4000 cm-1波数范围内高斯振子数量为9个，使SiO2薄膜的介电常数反演计算结果具有明确的物理意义.通过对3000-4000 cm-1波数范围内介电常数的分析，确定了薄膜中具有明显的含水（或羟基）化学缺陷，并且这种缺陷影响到整个红外波段内的介电常数.
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