搜索

x

留言板

尊敬的读者、作者、审稿人, 关于本刊的投稿、审稿、编辑和出版的任何问题, 您可以本页添加留言。我们将尽快给您答复。谢谢您的支持!

姓名
邮箱
手机号码
标题
留言内容
验证码

N掺杂SiO2纳米薄膜的制备及其磁性

周鸿娟 甄聪棉 张永进 赵翠莲 马丽 侯登录

N掺杂SiO2纳米薄膜的制备及其磁性

周鸿娟, 甄聪棉, 张永进, 赵翠莲, 马丽, 侯登录
PDF
导出引用
导出核心图
  • 利用射频磁控反应溅射技术,制备了氮掺杂的SiO2纳米薄膜.发现N掺杂SiO2体系纳米薄膜具有铁磁性.较小的氮化硅颗粒均匀分布在氧化硅基质中有利于磁有序的形成.基底温度为400℃时,样品薄膜具有最大的饱和磁化强度和矫顽力,分别为35 emu/cm3和75 Oe.薄膜的磁性可能产生于氮化硅和氧化硅的界面.理论计算表明,N掺杂SiO2体系具有净自旋.同时,由氮化硅和氧化硅界面之间的电荷转移导致的轨道磁矩也会对样品的磁性有贡献
    • 基金项目: 国家自然科学基金(批准号:10804026和10774037) 和河北省自然科学基金(批准号:E2007000280) 资助的课题.
    [1]

    [1]Wolf S A,Awschalom D D,Buhrman R A,Daughton J M,Molnár S von,Roukes M L,Chtchelkanova A Y,Treger D M 2001 Science 294 1488

    [2]

    [2]Song H Q,Wang Y,Yan S S,Mei L M,Zhang Z 2008 Acta Phys. Sin. 57 4534 (in Chinese) [宋红强、王勇、颜世申、梅良模、张泽 2008 物理学报 57 4534]

    [3]

    [3]Venkatesan M,Fitzgerald C B,Coey J M D 2004 Nature 430 630

    [4]

    [4]Xu Q,Schmidt H,Zhou S,Potzger K,Helm M,Hochmuth H,Lorenz M,Setzer A,Esquinazi P,Meinecke C,Grundmann M 2008 Appl. Phys. Lett. 92 082508

    [5]

    [5]Hong H N,Poirot N,Sakai J 2008 Phys. Rev. B 77 033205

    [6]

    [6]Hong N H,Sakai J,Poirot N,Brize V 2006 Phys. Rev. B 73 132404

    [7]

    [7]Sundaresan A,Bhargavi R,Rangarajan N,Siddesh U,Rao C N R 2006 Phys. Rev. B 74 161306R

    [8]

    [8]Sundaresan A,Rao C N R 2009 Nano Today 4 96

    [9]

    [9]Carmeli I,Leitus G,Naaman R,Reich S,Vager Z 2003 J. Chem.Phys. 118 10372

    [10]

    ]Crespo P,Litran R,Rojas T C,Multigner M,de la Fuente J M,Sanchez-Lopez J C,Garcia M A,Hernando A,Penades S,Fernandez A 2004 Phys. Rev. Lett. 93 087204

    [11]

    ]Yamamoto Y,Miura T,Teranishi T,Hori H,Suzuki M,Kawamura N,Miyagawa H,Nakamura T,Kobayashi K 2004 Phys. Rev. Lett. 93 116801

    [12]

    ]Esquinazi P,Spemann D,Hhne R,Setzer A,Han K H,Butz T 2003 Phys. Rev. Lett. 91 227201

    [13]

    ]Chen S,Wu Q Y,Chen Z G,Xu G G,Huang Z G 2009 Acta Phys. Sin. 58 2011 ( in Chinese) [陈珊、吴青云、陈志高、许桂贵、黄志高 2009 物理学报 58 2011]

    [14]

    ]Guan L X,Tao J G,Huan C H A,Kuo J L,Wang L 2009 Appl. Phys. Lett. 95 012509

    [15]

    ]Kopnov G,Vager Z,Naaman R,2007 Adv. Mater. 19 925

    [16]

    ]Bouvet D,Clivaz P A,Dutoit M 1996 J. Appl .Phys. 79 7114

    [17]

    ]Kaluri S R,Hess D W 1996 Appl. Phys. Lett. 69 1053

  • [1]

    [1]Wolf S A,Awschalom D D,Buhrman R A,Daughton J M,Molnár S von,Roukes M L,Chtchelkanova A Y,Treger D M 2001 Science 294 1488

    [2]

    [2]Song H Q,Wang Y,Yan S S,Mei L M,Zhang Z 2008 Acta Phys. Sin. 57 4534 (in Chinese) [宋红强、王勇、颜世申、梅良模、张泽 2008 物理学报 57 4534]

    [3]

    [3]Venkatesan M,Fitzgerald C B,Coey J M D 2004 Nature 430 630

    [4]

    [4]Xu Q,Schmidt H,Zhou S,Potzger K,Helm M,Hochmuth H,Lorenz M,Setzer A,Esquinazi P,Meinecke C,Grundmann M 2008 Appl. Phys. Lett. 92 082508

    [5]

    [5]Hong H N,Poirot N,Sakai J 2008 Phys. Rev. B 77 033205

    [6]

    [6]Hong N H,Sakai J,Poirot N,Brize V 2006 Phys. Rev. B 73 132404

    [7]

    [7]Sundaresan A,Bhargavi R,Rangarajan N,Siddesh U,Rao C N R 2006 Phys. Rev. B 74 161306R

    [8]

    [8]Sundaresan A,Rao C N R 2009 Nano Today 4 96

    [9]

    [9]Carmeli I,Leitus G,Naaman R,Reich S,Vager Z 2003 J. Chem.Phys. 118 10372

    [10]

    ]Crespo P,Litran R,Rojas T C,Multigner M,de la Fuente J M,Sanchez-Lopez J C,Garcia M A,Hernando A,Penades S,Fernandez A 2004 Phys. Rev. Lett. 93 087204

    [11]

    ]Yamamoto Y,Miura T,Teranishi T,Hori H,Suzuki M,Kawamura N,Miyagawa H,Nakamura T,Kobayashi K 2004 Phys. Rev. Lett. 93 116801

    [12]

    ]Esquinazi P,Spemann D,Hhne R,Setzer A,Han K H,Butz T 2003 Phys. Rev. Lett. 91 227201

    [13]

    ]Chen S,Wu Q Y,Chen Z G,Xu G G,Huang Z G 2009 Acta Phys. Sin. 58 2011 ( in Chinese) [陈珊、吴青云、陈志高、许桂贵、黄志高 2009 物理学报 58 2011]

    [14]

    ]Guan L X,Tao J G,Huan C H A,Kuo J L,Wang L 2009 Appl. Phys. Lett. 95 012509

    [15]

    ]Kopnov G,Vager Z,Naaman R,2007 Adv. Mater. 19 925

    [16]

    ]Bouvet D,Clivaz P A,Dutoit M 1996 J. Appl .Phys. 79 7114

    [17]

    ]Kaluri S R,Hess D W 1996 Appl. Phys. Lett. 69 1053

  • 引用本文:
    Citation:
计量
  • 文章访问数:  3435
  • PDF下载量:  689
  • 被引次数: 0
出版历程
  • 收稿日期:  2009-08-09
  • 修回日期:  2009-09-07
  • 刊出日期:  2010-05-15

N掺杂SiO2纳米薄膜的制备及其磁性

  • 1. 河北省新型薄膜材料实验室,河北师范大学物理科学与信息工程学院,石家庄 050016
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号:10804026和10774037) 和河北省自然科学基金(批准号:E2007000280) 资助的课题.

摘要: 利用射频磁控反应溅射技术,制备了氮掺杂的SiO2纳米薄膜.发现N掺杂SiO2体系纳米薄膜具有铁磁性.较小的氮化硅颗粒均匀分布在氧化硅基质中有利于磁有序的形成.基底温度为400℃时,样品薄膜具有最大的饱和磁化强度和矫顽力,分别为35 emu/cm3和75 Oe.薄膜的磁性可能产生于氮化硅和氧化硅的界面.理论计算表明,N掺杂SiO2体系具有净自旋.同时,由氮化硅和氧化硅界面之间的电荷转移导致的轨道磁矩也会对样品的磁性有贡献

English Abstract

参考文献 (17)

目录

    /

    返回文章
    返回