| [1] |
吴现成, 王印月. 反应溅射a-SiCxNy∶H薄膜特性. 物理学报,
1999, 48(1): 134-139.
doi: 10.7498/aps.48.134
|
| [2] |
赵坤, 朱凤, 王莉芳, 孟铁军, 张保澄, 赵夔. 反应溅射法制备TiO2薄膜. 物理学报,
2001, 50(7): 1390-1395.
doi: 10.7498/aps.50.1390
|
| [3] |
陈超, 冀勇, 郜小勇, 赵孟珂, 马姣民, 张增院, 卢景霄. 直流脉冲磁控反应溅射技术制备掺铝氧化锌薄膜的研究. 物理学报,
2012, 61(3): 036104.
doi: 10.7498/aps.61.036104
|
| [4] |
马姣民, 梁艳, 郜小勇, 陈超, 赵孟珂, 卢景霄. 射频磁控反应溅射制备的Ag2O薄膜的椭圆偏振光谱研究. 物理学报,
2012, 61(5): 056106.
doi: 10.7498/aps.61.056106
|
| [5] |
邵建达, 王英剑, 范正修, 沈自才. 磁控反应溅射法制备渐变折射率薄膜的模型分析. 物理学报,
2005, 54(10): 4842-4845.
doi: 10.7498/aps.54.4842
|
| [6] |
李阳平, 刘正堂, 刘文婷, 闫 峰, 陈 静. GeC薄膜的射频磁控反应溅射制备及性质. 物理学报,
2008, 57(10): 6587-6592.
doi: 10.7498/aps.57.6587
|
| [7] |
张增院, 郜小勇, 冯红亮, 马姣民, 卢景霄. 反应气压对直流磁控反应溅射制备的氧化银薄膜的结构和光学性质的影响. 物理学报,
2011, 60(1): 016110.
doi: 10.7498/aps.60.016110
|
| [8] |
邱巍, 高波, 林鹏, 周婧婷, 李佳, 蒋秋莉, 吕品, 马英驰. 掺铒光纤中亚稳态粒子振荡和慢光时间延迟关系研究. 物理学报,
2013, 62(21): 214205.
doi: 10.7498/aps.62.214205
|
| [9] |
王印月, 许怀哲, 陈光华. 反应溅射a-Si:H/a-Ge:H超晶格的热稳定性. 物理学报,
1992, 41(2): 302-305.
doi: 10.7498/aps.41.302
|
| [10] |
张坤, 刘芳洋, 赖延清, 李轶, 颜畅, 张治安, 李劼, 刘业翔. 太阳电池用Cu2ZnSnS4薄膜的反应溅射原位生长及表征. 物理学报,
2011, 60(2): 028802.
doi: 10.7498/aps.60.028802
|
| [11] |
王培君, 江美福, 杜记龙, 戴永丰. 射频反应磁控溅射法制备的氟化类金刚石薄膜摩擦特性研究. 物理学报,
2010, 59(12): 8920-8926.
doi: 10.7498/aps.59.8920
|
| [12] |
江美福, 宁兆元. 反应磁控溅射法制备的氟化类金刚石薄膜的XPS结构研究. 物理学报,
2004, 53(9): 3220-3224.
doi: 10.7498/aps.53.3220
|
| [13] |
陈光华, 张仿清, 崔敬忠. 溅射a-GeNx和a-GeNx:H薄膜的制备及光电特性的研究. 物理学报,
1989, 38(4): 573-578.
doi: 10.7498/aps.38.573
|
| [14] |
张毓英, 李桂棠, 孙騊亨. 对汞亚稳态瞬态特性的研究. 物理学报,
1987, 36(9): 1154-1160.
doi: 10.7498/aps.36.1154
|
| [15] |
彭栋梁, 蒋生蕊. 射频反应性溅射沉积的Cd2SnO4薄膜物理性质与缺陷特性研究. 物理学报,
1992, 41(12): 2055-2060.
doi: 10.7498/aps.41.2055
|
| [16] |
何 威, 蒲以康, 陈 卓. 电子回旋共振氩等离子体中亚稳态粒子数密度及电子温度的测量. 物理学报,
2005, 54(5): 2153-2157.
doi: 10.7498/aps.54.2153
|
| [17] |
陈艳, 董国胜, 张明, 徐敏, 金晓峰, 范朝阳, 陆尔东, 潘海斌, 徐彭寿, 张新夷. 亚稳态fcc-Mn薄膜的生长及其同步辐射光电子能谱研究. 物理学报,
1995, 44(11): 1861-1868.
doi: 10.7498/aps.44.1861
|
| [18] |
岳建岭, 孔 明, 赵文济, 李戈扬. 反应溅射VN/SiO2纳米多层膜的微结构与力学性能. 物理学报,
2007, 56(3): 1568-1573.
doi: 10.7498/aps.56.1568
|
| [19] |
张明, 董国胜, 徐敏, 陈艳, 金晓峰, 朱兴国. 亚稳态γ-Mn与GaAs(100)界面的形成:扩散和化学反应. 物理学报,
1995, 44(1): 115-121.
doi: 10.7498/aps.44.115
|
| [20] |
陆新华, 辛煜, 宁兆元, 程珊华, 甘肇强, 黄松. ECR-CVD法制备的a-C:F:H薄膜在N2气氛中的热退火研究. 物理学报,
2002, 51(2): 439-443.
doi: 10.7498/aps.51.439
|
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