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ZnSe/SiO2复合薄膜光学常数与荧光光谱的研究

姜海青 姚 熹 车 俊 汪敏强

ZnSe/SiO2复合薄膜光学常数与荧光光谱的研究

姜海青, 姚 熹, 车 俊, 汪敏强
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出版历程
  • 收稿日期:  2005-05-17
  • 修回日期:  2005-10-21
  • 刊出日期:  2006-02-05

ZnSe/SiO2复合薄膜光学常数与荧光光谱的研究

  • 1. 西安交通大学电子材料与器件研究所,电子陶瓷与器件教育部重点实验室,西安 710049
    基金项目: 

    国家重点基础研究发展规划(批准号:2002CB613305)和教育部中国-以色列国际合作研究计 划资助的课题.

摘要: 采用溶胶-凝胶工艺与原位生长技术,制备了ZnSe/SiO2复合薄膜.X射线衍射分 析表明薄膜中ZnSe晶体呈立方闪锌矿结构.X射线荧光分析结果显示薄膜中Zn与Se摩尔比为1 ∶1.01—1∶1.19.利用场发射扫描电子显微镜观察了复合薄膜的表面形貌,结果表明复合薄 膜表面既存在尺寸约为400nm的ZnSe晶粒,也存在尺寸小于100nm的ZnSe晶粒.利用椭偏仪测 量了薄膜椭偏角Ψ,Δ与波长λ的关系,采用Maxwell-Garnett有效介质理论对薄膜的光学 常数、厚度、气孔率、ZnS

English Abstract

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