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SiGe电荷注入晶体管的直流特性模型

舒 斌 张鹤鸣 胡辉勇 宣荣喜 戴显英

SiGe电荷注入晶体管的直流特性模型

舒 斌, 张鹤鸣, 胡辉勇, 宣荣喜, 戴显英
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出版历程
  • 收稿日期:  2006-04-03
  • 修回日期:  2006-06-22
  • 刊出日期:  2007-01-05

SiGe电荷注入晶体管的直流特性模型

  • 1. 西安电子科技大学微电子学院,宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,西安 710071
    基金项目: 

    武器装备预研基金(批准号:51408061104DZ01)资助的课题.

摘要: 为了能直观地体现SiGe/Si电荷注入晶体管的收集极电流与漏源电压的关系,利用输入端SiGe/Si量子阱中二维空穴气的隧道模型,建立起此类器件的输入输出数学模型,并利用MATLAB软件对所建模型进行了模拟,结果显示在漏源电压约为1.5 V时,漏电流出现较强的负微分电阻效应,与文献报道结果符合.

English Abstract

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