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表面InGaN厚度对GaN基发光二极管特性的影响

顾晓玲 郭 霞 吴 迪 李一博 沈光地

表面InGaN厚度对GaN基发光二极管特性的影响

顾晓玲, 郭 霞, 吴 迪, 李一博, 沈光地
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出版历程
  • 收稿日期:  2007-04-10
  • 修回日期:  2007-06-18
  • 刊出日期:  2008-02-20

表面InGaN厚度对GaN基发光二极管特性的影响

  • 1. 北京工业大学,北京市光电子技术实验室,北京 100022
    基金项目: 

    国家重点基础研究发展规划(批准号:2006CB604902),国家自然科学基金(批准号:60506012),国家高技术研究发展计划(批准号:2006AA03A121)和北京市优秀人才强教计划(批准号:20051D0501502)资助的课题.

摘要: 通过调整GaN基发光二极管(LED)表面InGaN层的厚度,发现在20 mA电流驱动下,LED器件的正向压降有明显差距.本文考虑了极化效应的影响,通过求解InGaN/GaN三角形势阱内二维空穴气浓度以及空穴隧穿概率的变化,求得了表面InGaN层厚度不同时器件正向压降的变化趋势,发现理论结果与实验结果有很好的吻合.同时得到了获得最低正向压降的表面InGaN厚度.

English Abstract

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