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GaN基多量子阱发光二极管的极化效应和载流子不均匀分布及其影响

顾晓玲 郭 霞 吴 迪 徐丽华 梁 庭 郭 晶 沈光地

GaN基多量子阱发光二极管的极化效应和载流子不均匀分布及其影响

顾晓玲, 郭 霞, 吴 迪, 徐丽华, 梁 庭, 郭 晶, 沈光地
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出版历程
  • 收稿日期:  2006-06-01
  • 修回日期:  2007-01-24
  • 刊出日期:  2007-04-05

GaN基多量子阱发光二极管的极化效应和载流子不均匀分布及其影响

  • 1. 北京工业大学北京市光电子技术实验室,北京 100022
    基金项目: 

    国家重点基础研究发展规划(批准号:2006CB604902)、国家自然科学基金(批准号:60506012)和国家高技术研究发展计划(批准号:2006AA03A121)资助的课题.

摘要: 制备了GaN基绿光发光二极管.利用耦合法求解了在自发极化和压电极化效应影响下的GaN/InGaN量子阱的极化电场强度.考虑载流子在量子阱间的不均匀分布,模拟计算了系统的一维薛定谔方程、稳态速率方程和泊松方程,得到了载流子在各个阱间的分布比值和辐射复合速率.同时还得到了不同电流下电致发光(EL)谱的峰值波长、谱峰半高宽及EL谱强度的变化情况.发现当测试电流由10 mA 增加到70 mA时,理论结果与实验结果能很好符合.

English Abstract

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