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InN纳米线的低压化学气相沉积及其场发射特性研究

叶 凡 王晓明 赵建果 谢二庆 蔡兴民

InN纳米线的低压化学气相沉积及其场发射特性研究

叶 凡, 王晓明, 赵建果, 谢二庆, 蔡兴民
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出版历程
  • 收稿日期:  2006-07-12
  • 修回日期:  2006-09-26
  • 刊出日期:  2007-04-20

InN纳米线的低压化学气相沉积及其场发射特性研究

  • 1. (1)兰州大学物理科学与技术学院,兰州 730000; (2)深圳大学物理科学学院,深圳 518060
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号: 60176002)资助的课题.

摘要: 利用低压化学气相沉积方法在以Au作催化剂的Si衬底上生长了InN纳米线. 扫描电子显微镜分析表明,这些纳米线的直径在60—100 nm的范围内, 而其长度大于1 μm.高分辨透射电子显微镜图像表明,合成的纳米线中含有六方相和立方相的InN晶体.这些InN纳米线具有良好的场发射特性和稳定的场发射电流,其开启场为10.02 V/μm(电流密度为10 μA/cm2),在24 V/μm 的电场下,其电流密度达到5.5 mA/cm2.此外,对InN纳米线的场发射机理也进行了讨论.

English Abstract

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