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CsF/Al阴极对提高芴基饱和红光器件性能的研究

阳仁强 彭俊彪 曹 镛 田仁玉

CsF/Al阴极对提高芴基饱和红光器件性能的研究

阳仁强, 彭俊彪, 曹 镛, 田仁玉
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出版历程
  • 收稿日期:  2006-09-12
  • 修回日期:  2006-12-15
  • 刊出日期:  2007-04-20

CsF/Al阴极对提高芴基饱和红光器件性能的研究

  • 1. (1)华南理工大学高分子光电材料与器件研究所,广州 510640; (2)华南理工大学高分子光电材料与器件研究所,广州 510640;华南理工大学特种功能材料及其制备新技术教育部重点实验室,广州 510640; (3)华南理工大学物理科学与技术学院,广州 510640
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号:50573024)、教育部科学技术研究重点项目(批准号:104208)和国家重点基础研究发展规划(批准号:2002CB61340205)资助的课题.

摘要: 从聚合物/电极界面修饰的角度对基于饱和红光聚合物PFO-SeBT(9,9-二辛基芴与4,7-二硒吩-2,1,3-苯并噻二唑的无规共聚物)的发光二极管的性能进行了改进,通过采用CsF/Al阴极并优化CsF的厚度以及在PFO-SeBT1/阳极界面插入聚乙烯基咔唑(PVK)层,使器件的最大电致发光外量子效率达到1.79%,比采用低功函数的金属Ba/Al阴极器件的效率提高了两倍多.器件的性能得以改善的原因是CsF/Al阴极能有效提高电子注入能力以及PVK层对电子的阻挡作用.

English Abstract

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