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α-SiN:H薄膜的光学声子与VO2基Mott相变场效应晶体管的红外吸收特性

陈长虹 黄德修 朱 鹏

α-SiN:H薄膜的光学声子与VO2基Mott相变场效应晶体管的红外吸收特性

陈长虹, 黄德修, 朱 鹏
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出版历程
  • 收稿日期:  2007-03-21
  • 修回日期:  2007-04-04
  • 刊出日期:  2007-09-20

α-SiN:H薄膜的光学声子与VO2基Mott相变场效应晶体管的红外吸收特性

  • 1. 华中科技大学武汉光电国家实验室,武汉 430074
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号60376034,60577051)和教育部回国留学人员科研启动基金资助的课题.

摘要: 从器件构成材料中α-SiN:H,VO2,Al薄膜介电常数弥散特性的Lorentz多谐振模型出发,研究了器件在金属表面等离子体与VO2,特别是α-SiN:H薄膜光学声子共同作用下的红外吸收特性;得到了在不同的光谱范围器件的红外吸收特性随着α-SiN: H钝化层几何厚度的变化关系,与中心工作波长10μm对应的且经过位相修正以后钝化层的几何厚度为λ/4n时的红外吸收光谱、以及VO2的相变对吸收光谱的影响.

English Abstract

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