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Nb掺杂对TiO2/NiTi界面电子结构影响的第一性原理计算

吴红丽 赵新青 宫声凯

Nb掺杂对TiO2/NiTi界面电子结构影响的第一性原理计算

吴红丽, 赵新青, 宫声凯
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出版历程
  • 收稿日期:  2008-03-19
  • 修回日期:  2008-07-14
  • 刊出日期:  2008-06-05

Nb掺杂对TiO2/NiTi界面电子结构影响的第一性原理计算

  • 1. 
    基金项目: 

    中国博士后科学基金(批准号:20060390389)资助的课题.

摘要: 采用基于密度泛函理论的第一性原理平面波超软赝势方法,计算了Nb掺杂对TiO2/NiTi界面电子结构的影响.体系生成能的计算结果表明,4种TiO2/NiTi界面结构中,NiTi中Ti原子和TiO2中O原子相邻的界面,即Ti/O界面的生成能最大,结构最稳定.在Ti/O界面结构优化的基础上,态密度、电荷分布以及集居数的计算结果均表明:Nb原子取代界面上的Ti原子后,界面原子之间的结合力增强,且界面附近的基体和氧化层中原子之间的相互作用也增加,有利

English Abstract

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