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缺陷黄铜矿结构Xga2S4 (X=Zn, Cd, Hg)晶体电子结构和光学性质的第一性原理研究

焦照勇 郭永亮 牛毅君 张现周

缺陷黄铜矿结构Xga2S4 (X=Zn, Cd, Hg)晶体电子结构和光学性质的第一性原理研究

焦照勇, 郭永亮, 牛毅君, 张现周
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出版历程
  • 收稿日期:  2012-09-21
  • 修回日期:  2012-11-23
  • 刊出日期:  2013-04-05

缺陷黄铜矿结构Xga2S4 (X=Zn, Cd, Hg)晶体电子结构和光学性质的第一性原理研究

  • 1. 河南师范大学物理与电子工程学院, 新乡 453007
    基金项目: 

    教育部科学技术研究重点项目(批准号: 212104)和河南省教育厅自然科学研究计划项目(批准号: 2011A140010)资助的课题.

摘要: 采用基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理超软赝势方法对缺陷黄铜矿结构XGa2S4 (X=Zn, Cd, Hg)晶体的晶格结构、电学以及光学性质进行了对比研究. 分析比较了它们的晶格常数、键长、能带结构、态密度、介电函数、折射率和反射系数等性质, 并总结其变化趋势. 结果表明: 这三种材料的光学性质在中间能量区域(4 eV10 eV)表现出较强的各向异性, 而在低能区域(4 eV)和高能区域(10 eV)各向异性较弱. ZnGa2S4和HgGa2S4两种材料的折射率曲线在等离子体频率p处有一明显的拐点, 反射系数在p处达到最大值后急剧下降. 三种晶体的强反射峰均处于紫外区域, 因此可以用作紫外光屏蔽或紫外探测材料.

English Abstract

参考文献 (25)

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