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蓝宝石衬底上Gd2O3掺杂CeO2氧离子导体电解质薄膜的生长及电学性能

姜雪宁 王 昊 马小叶 孟宪芹 张庆瑜

蓝宝石衬底上Gd2O3掺杂CeO2氧离子导体电解质薄膜的生长及电学性能

姜雪宁, 王 昊, 马小叶, 孟宪芹, 张庆瑜
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出版历程
  • 收稿日期:  2007-05-08
  • 修回日期:  2007-07-19
  • 刊出日期:  2008-03-20

蓝宝石衬底上Gd2O3掺杂CeO2氧离子导体电解质薄膜的生长及电学性能

  • 1. 大连理工大学三束材料改性国家重点实验室,大连 116024
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号:50502010)与辽宁省自然科学基金(批准号:20052179)资助的课题.

摘要: 采用反应磁控溅射方法,在(0001)蓝宝石单晶衬底上,制备了纳米多晶Gd2O3掺杂CeO2(GDC)氧离子导体电解质薄膜,采用X射线衍射仪(XRD)、原子力显微镜(AFM)对薄膜物相、结构、粗糙度、表面形貌等生长特性进行了表征,利用交流阻抗谱仪测试了GDC薄膜不同温度下的电学性能;实验结果表明,GDC薄膜为面心立方结构,在所研究的衬底温度范围内,均呈强(111)织构生长;薄膜表面形貌随衬底温度发生阶段性变化:衬底温度由室温升高到300℃时,

English Abstract

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