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一种减小GaN基肖特基结构紫外探测器暗电流的方法

赵德刚 周 梅 常清英

一种减小GaN基肖特基结构紫外探测器暗电流的方法

赵德刚, 周 梅, 常清英
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出版历程
  • 收稿日期:  2007-06-26
  • 修回日期:  2007-11-19
  • 刊出日期:  2008-02-05

一种减小GaN基肖特基结构紫外探测器暗电流的方法

  • 1. (1)中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室,北京 100083; (2)中国农业大学应用物理系,北京 100083
    基金项目: 

    中国农业大学青年教师科研启动基金(批准号:2006007)资助的课题.

摘要: 提出了一种减小GaN肖特基结构紫外探测器暗电流的方法.该方法是在普通的GaN肖特基结构的表面增加一层薄的p-GaN.模拟计算结果表明,该层p-GaN能增加肖特基势垒高度,从而减小了器件的暗电流,提高了器件性能.进一步的计算还发现,对于p型载流子浓度较高的情况下,只需要很薄的一层p-GaN就能显著增加肖特基势垒高度,对于p型载流子浓度较低的情况下,则需要较厚的一层p-GaN才能有较好的肖特基势垒高度增加效果.

English Abstract

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