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两个子带占据的In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As量子阱中填充因子的变化规律

李东临 高宏玲 崔利杰 曾一平 商丽燕 林 铁 郭少令 周文政 褚君浩

两个子带占据的In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As量子阱中填充因子的变化规律

李东临, 高宏玲, 崔利杰, 曾一平, 商丽燕, 林 铁, 郭少令, 周文政, 褚君浩
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出版历程
  • 收稿日期:  2007-10-29
  • 修回日期:  2007-12-03
  • 刊出日期:  2008-06-20

两个子带占据的In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As量子阱中填充因子的变化规律

  • 1. (1)中国科学院半导体研究所,北京 100083; (2)中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室,上海 200083; (3)中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室,上海 200083;广西大学物理科学与工程技术学院,南宁 530004; (4)中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室,上海 200083;华东师范大学ECNU-SITP成像信息联合实验室,上海 200062
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号: 60221502)资助的课题.

摘要: 研究了低温(15K)和强磁场(0—13T)条件下, InP基In053Ga047As/In052Al048As量子阱中电子占据两个子带时填充因子随磁场的变化规律.结果表明,在电子自旋分裂能远小于朗道能级展宽的情况下,如果两个子带分裂能是朗道分裂能的整数倍时,即ΔE21=kωc(其中k为整数),填充因子为偶数;当两个子带分裂能为朗道分裂能的半奇数倍时,即ΔE21=(2k+1)ωc/2,填充因子出现奇数.

English Abstract

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