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GaN/SiC异质结的慢正电子研究

王海云 翁惠民 Ling C. C.

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GaN/SiC异质结的慢正电子研究

王海云, 翁惠民, Ling C. C.

Study of GaN/SiC contact using slow positron beam

Wang Hai-Yun, Weng Hui-Min, Ling C. C.
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  • 通过对不同生长厚度GaN/SiC(n-n)的慢正电子研究,发现在GaN/SiC的界面中存在大量各种缺陷并在界面两端形成两个不同方向的电场. 这些缺陷的产生和SiC衬底表面制备以及GaN和SiC不同的热膨胀系数有关. 而缺陷中大量的带状缺陷在界面中形成一个费米能级钉扎(Fermi level pinning),它的存在使界面中存在一定高度的势垒,导致在界面两端的一定区域内形成两个不同方向的电场. 用VEPFIT模拟该电场的存在,分四层(GaN/Interface/SiC1/SiC2)进行拟合,得到了很好的拟
    Using a slow positron beam and the program VEPFIT, we found there exists a barrier in the interface between GaN and SiC, which is caused by lots of band-like defects existing in it. The existence of the barrier induced two backing electric fields in diverse directions close to the interface. These fields can produce a longer diffusion length in the SiC region where no field exists compared with that of SiC region, which has an electric field at a set value. The fitted value of the electric field offers a good reference for studying the situation in a real the interface.
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出版历程
  • 收稿日期:  2007-09-12
  • 修回日期:  2008-03-04
  • 刊出日期:  2008-09-20

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