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半超结SiGe高压快速软恢复开关二极管

高勇 马丽

半超结SiGe高压快速软恢复开关二极管

高勇, 马丽
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出版历程
  • 收稿日期:  2008-03-01
  • 修回日期:  2008-04-25
  • 刊出日期:  2009-01-20

半超结SiGe高压快速软恢复开关二极管

  • 1. (1)西安理工大学电子工程系,西安 710048; (2)西安理工大学应用物理系,西安 710048
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号:50477012),高等学校博士学科点专项科研基金(批准号:20050700006)和陕西省教育厅专项科研计划(批准号:05JK268)资助的课题.

摘要: 将SiGe材料的优异性能与半超结结构的优势相结合,提出了一种半超结SiGe功率二极管, 可适应高频化电力电子电路对功率二极管低通态压降、高击穿电压、较小的反向漏电流以及快而软的反向恢复特性的要求,显著提高器件的各种特性.

English Abstract

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