搜索

x

留言板

尊敬的读者、作者、审稿人, 关于本刊的投稿、审稿、编辑和出版的任何问题, 您可以本页添加留言。我们将尽快给您答复。谢谢您的支持!

姓名
邮箱
手机号码
标题
留言内容
验证码

SiC晶界薄膜的变电荷分子动力学模拟

马颖 陈尚达 谢国锋

SiC晶界薄膜的变电荷分子动力学模拟

马颖, 陈尚达, 谢国锋
PDF
导出引用
导出核心图
计量
  • 文章访问数:  3374
  • PDF下载量:  1016
  • 被引次数: 0
出版历程
  • 收稿日期:  2009-01-19
  • 修回日期:  2009-04-08
  • 刊出日期:  2009-11-20

SiC晶界薄膜的变电荷分子动力学模拟

  • 1. 低维材料及其应用技术教育部重点实验室,湘潭大学材料与光电物理学院,湘潭 411105
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号:10702059, 10702058),湖南省自然科学基金(批准号:07JJ4011),教育部博士点新教师基金(批准号:20070530009),湖南省教育厅青年项目(批准号:07B074)资助的课题.

摘要: 基于迭代变电荷方法,用分子动力学模拟了SiC中的晶界薄膜.从原子尺度上模拟了不同的晶界薄膜的结构.观察到了晶粒与晶界薄膜间的电荷转移并且晶界薄膜的厚度与电荷转移有关.该结果提供了晶界存在空间电荷的直接证据,并证明静电作用与晶界薄膜的平衡厚度密切相关.

English Abstract

目录

    /

    返回文章
    返回