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镧铱硅电子结构与成键机理的第一性原理研究

刘君民 孙立忠 陈元平 张凯旺 钟建新 袁辉球

镧铱硅电子结构与成键机理的第一性原理研究

刘君民, 孙立忠, 陈元平, 张凯旺, 钟建新, 袁辉球
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出版历程
  • 收稿日期:  2009-01-10
  • 修回日期:  2009-03-01
  • 刊出日期:  2009-11-20

镧铱硅电子结构与成键机理的第一性原理研究

  • 1. (1)湘潭大学量子工程与微纳能源技术湖南省高校重点实验室,湘潭 411105;湘潭大学材料与光电物理学院,湘潭 411105; (2)浙江大学物理系,杭州 310027
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号:10874143,10774127)和教育部博士点新教师基金(批准号:20070530008)资助的课题.

摘要: 利用基于密度泛函理论的第一性原理方法,系统研究了镧铱硅(La-Ir-Si)体系四种异构体的电子结构与成键机理.通过对能带结构、态密度的系统分析,发现:La-Ir-Si体系的超导属性与该体系中过渡元素Ir-d态和Si-p态的p-d轨道耦合强度有关.为了定量描述p-d轨道耦合的强度,采用了分子中的原子方法,针对La-Ir-Si体系成键过程中的电荷迁移进行了定量的分析,结果表明,超导的转变温度与体系中Ir原子basin中的电荷量成近线性关系.

English Abstract

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