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Zigzag型石墨纳米带电子结构和输运性质的第一性原理研究

欧阳方平 徐 慧 魏 辰

Zigzag型石墨纳米带电子结构和输运性质的第一性原理研究

欧阳方平, 徐 慧, 魏 辰
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出版历程
  • 收稿日期:  2007-05-24
  • 修回日期:  2007-06-01
  • 刊出日期:  2008-02-20

Zigzag型石墨纳米带电子结构和输运性质的第一性原理研究

  • 1. 中南大学物理科学与技术学院,长沙 410083
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号:50504017)和中南大学理科发展基金(批准号:08SDF02)资助的课题.

摘要: 采用第一性原理电子结构和输运性质计算研究了zigzag型单层石墨纳米带(具有armchair 边缘)的电子结构和输运性质及其边缘空位缺陷效应. 研究发现,完整边缘的zigzag型石墨纳米带是具有一定能隙的半导体带,边缘空位缺陷的存在使得纳米带能隙变小,且缺陷浓度越大,能隙越小,并发生了半导体-金属转变. 利用这些研究结果,将有助于在能带工程中实现其电子结构裁剪.

English Abstract

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