搜索

文章查询

x

留言板

尊敬的读者、作者、审稿人, 关于本刊的投稿、审稿、编辑和出版的任何问题, 您可以本页添加留言。我们将尽快给您答复。谢谢您的支持!

姓名
邮箱
手机号码
标题
留言内容
验证码

单空位缺陷对石墨纳米带电子结构和输运性质的影响

欧阳方平 李明君 肖 金 徐 慧 王焕友

单空位缺陷对石墨纳米带电子结构和输运性质的影响

欧阳方平, 李明君, 肖 金, 徐 慧, 王焕友
PDF
导出引用
导出核心图
计量
  • 文章访问数:  3616
  • PDF下载量:  1334
  • 被引次数: 0
出版历程
  • 收稿日期:  2007-08-08
  • 修回日期:  2007-11-17
  • 刊出日期:  2008-11-20

单空位缺陷对石墨纳米带电子结构和输运性质的影响

  • 1. (1)中南大学物理科学与技术学院,长沙 410083; (2)中南大学物理科学与技术学院,长沙 410083;湘南学院物理系,郴州 423000
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号:50504017),湖南省自然科学基金(批准号:07113102)和中南大学理科发展基金(批准号:08SDF02)资助的课题.

摘要: 基于第一性原理电子结构和输运性质计算,研究了单空位缺陷对单层石墨纳米带(包括zigzag型和armchair型带)电子性质的影响.研究发现,单空位缺陷使石墨纳米带在费米面上出现一平直的缺陷态能带;单空位缺陷的引入使zigzag型半导体性的石墨纳米带变为金属性,这在能带工程中有重要的应用价值;奇数宽度的armchair型石墨纳米带表现出金属特性,有着很好的导电性能,同时,偶数宽度的armchair型石墨带虽有金属性的能带结构,但却有类似半导体的伏安特性;单空位缺陷使得奇数宽度的armchair石墨纳米带导电

English Abstract

目录

    /

    返回文章
    返回