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高压LDMOS晶体管准饱和效应分析与建模

杨华岳 王磊

高压LDMOS晶体管准饱和效应分析与建模

杨华岳, 王磊
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出版历程
  • 收稿日期:  2009-04-10
  • 修回日期:  2009-06-01
  • 刊出日期:  2010-01-15

高压LDMOS晶体管准饱和效应分析与建模

  • 1. (1)上海宏力半导体制造有限公司,上海 201203; (2)中国科学院上海微系统与信息技术研究所,上海 200050;中国科学院研究生院,北京 100049;上海宏力半导体制造有限公司,上海 201203

摘要: 研究了高压LDMOS(lateral double-diffused MOS)晶体管中一种特殊的电流饱和现象——准饱和效应.借助于TCAD模拟工具,澄清了准饱和效应的物理机理是漂移区载流子的速度饱和.进而从本征漏极电压Vk入手,给出了描述LDMOS管电流饱和特性的数学模型.该模型已经通过了Matlab的编程验证,兼具准确性、计算速度和可扩展性等优点,并可进一步应用于SPICE电路模拟.

English Abstract

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