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硅基VO2纳米薄膜光致绝缘体—金属相变的THz时域频谱研究

王昌雷 田震 邢岐荣 谷建强 刘丰 胡明列 柴路 王清月

硅基VO2纳米薄膜光致绝缘体—金属相变的THz时域频谱研究

王昌雷, 田震, 邢岐荣, 谷建强, 刘丰, 胡明列, 柴路, 王清月
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  • 利用THz时域频谱技术(THz-TDS)研究了硅基二氧化钒(VO2)纳米薄膜的光致绝缘体—金属相变特性.在连续光激发下前后,观察到了非常明显的THz透过率变化,并通过薄膜近似计算出了THz波段金属态VO2薄膜的电导率.根据实验结果建立了金属态VO2薄膜的等效Drude模型,得到了复电导率,复电容率以及复折射率等相关的基本参数,并通过基于时域有限积分法模拟了THz波穿透硅基金属态VO2薄膜的过程,验证了所建立的模型的正确
    • 基金项目: 国家重点基础研究发展计划(批准号:2007CB310408), 天津市科技支撑项目专项基金(批准号:8ZCKFZC28000), 高等学校博士学科点专项科研基金(批准号:200800560026), 天津大学"985"工程和应用基础及前沿技术研究计划(批准号:08JCZDJC17500)资助的课题.
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出版历程
  • 收稿日期:  2010-01-07
  • 修回日期:  2010-01-25
  • 刊出日期:  2010-11-15

硅基VO2纳米薄膜光致绝缘体—金属相变的THz时域频谱研究

  • 1. (1)天津大学精密仪器与光电子工程学院,超快激光研究室,天津 300072; (2)天津大学精密仪器与光电子工程学院,超快激光研究室,天津 300072;天津大学精密仪器与光电子工程学院,THz中心,天津 300072
    基金项目: 

    国家重点基础研究发展计划(批准号:2007CB310408), 天津市科技支撑项目专项基金(批准号:8ZCKFZC28000), 高等学校博士学科点专项科研基金(批准号:200800560026), 天津大学"985"工程和应用基础及前沿技术研究计划(批准号:08JCZDJC17500)资助的课题.

摘要: 利用THz时域频谱技术(THz-TDS)研究了硅基二氧化钒(VO2)纳米薄膜的光致绝缘体—金属相变特性.在连续光激发下前后,观察到了非常明显的THz透过率变化,并通过薄膜近似计算出了THz波段金属态VO2薄膜的电导率.根据实验结果建立了金属态VO2薄膜的等效Drude模型,得到了复电导率,复电容率以及复折射率等相关的基本参数,并通过基于时域有限积分法模拟了THz波穿透硅基金属态VO2薄膜的过程,验证了所建立的模型的正确

English Abstract

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