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双极晶体管在强电磁脉冲作用下的损伤效应与机理

柴常春 席晓文 任兴荣 杨银堂 马振洋

双极晶体管在强电磁脉冲作用下的损伤效应与机理

柴常春, 席晓文, 任兴荣, 杨银堂, 马振洋
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出版历程
  • 收稿日期:  2010-02-05
  • 修回日期:  2010-04-03
  • 刊出日期:  2010-11-15

双极晶体管在强电磁脉冲作用下的损伤效应与机理

  • 1. 西安电子科技大学微电子学院,教育部宽禁带半导体材料与器件重点实验室,西安 710071
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号:60776034)资助的课题.

摘要: 针对典型n+-p-n-n+结构的双极晶体管,从器件内部电场强度、电流密度和温度分布变化的分析出发,研究了在强电磁脉冲(electromagnetic pulse,EMP)作用下其内在损伤过程与机理.研究表明,双极晶体管损伤部位在不同幅度的注入电压作用下是不同的,注入电压幅度较低时,发射区中心下方的集电区附近首先烧毁,而在高幅度注入电压作用下,由于基区-外延层-衬底构成的PIN结构发生击穿,导致靠近发射极一侧的基极边缘处首先发生烧毁.利用数据分析软件,对不同注入电

English Abstract

参考文献 (12)

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