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AlGaN/GaN HEMT器件电离辐照损伤机理及偏置相关性研究

董世剑 郭红霞

AlGaN/GaN HEMT器件电离辐照损伤机理及偏置相关性研究

董世剑, 郭红霞
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出版历程
  • 收稿日期:  2019-10-12

AlGaN/GaN HEMT器件电离辐照损伤机理及偏置相关性研究

  • 1. 湘潭大学
  • 2. 西北核技术研究所
  • 通信作者: 董世剑, 931689556@qq.com
    基金项目: 国家级-国家自然科学基金青年科学基金(No.11435010)

摘要: 本文利用60Co γ射线,针对AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(High Electron Mobility Transistor,简称HEMT)器件,开展了在不同偏置下器件电离辐照总剂量效应实验研究。采用1/f噪声结合直流电学特性参数对实验结果进行测量分析,分析结果表明,受到辐照诱生氧化物缺陷电荷与界面态的影响,当辐照总剂量达到1 Mrad(Si)时,零偏条件下AlGaN/GaN HEMT器件的电学参数退化最的大,其中,饱和漏电流减小36.28%,最高跨导降低52.94%;基于McWhorter模型提取了AlGaN/GaN HEMT器件辐照前

English Abstract

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