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增强型AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管高温退火研究

王冲 全思 马晓华 郝跃 张进城 毛维

增强型AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管高温退火研究

王冲, 全思, 马晓华, 郝跃, 张进城, 毛维
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  • 深入研究了两种增强型AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)高温退火前后的直流特性变化.槽栅增强型AlGaN/GaN HEMT在500 ℃ N2中退火5 min后,阈值电压由0.12 V正向移动到0.57 V,器件Schottky反向栅漏电流减小一个数量级.F注入增强型AlGaN/GaN HEMT在 400 ℃ N2中退火2 min后,器件阈值电压由0.23 V负向移动到-0.69 V,栅泄漏电流明显增大.槽栅增强型器件退火过程中Schottky有效势垒
    • 基金项目: 国家科技重大专项(批准号:2008ZX01002-002)、国家自然科学基金重大项目(批准号:60890191)、国家自然科学基金重点项目 (批准号:60736033)、中国国防科技预研基金(批准号: 51308030102)和西安电子科技大学回国人员创新基金资助的课题.
    [1]

    Masataka H, Toshiaki M, Takashi M 2006 IEEE Electron. Device. Lett. 27 16

    [2]

    Nakayama T, Ando Y, Okamoto Y, Inoue T, Miyamoto H 2006 Electron. Lett. 42 489

    [3]

    Lanford W B, Tanaka T, Otoki Y, Adesida I 2005 Electron. Lett. 41 449

    [4]

    Zhang H, Miller E J, Yu E T 2006 J. Appl. Phys. 99 023703

    [5]

    Cai Y,Zhou Y G, Chen K J, Lau K M 2005 IEEE Electron. Device. Lett. 26 435

    [6]

    Cai Y,Zhou Y G, Lau K M, Chen K J 2006 IEEE Trans. Electron. Device. 53 2207

    [7]

    Wang C, Zhang J F, Quan S, Hao Y, Zhang J C, Ma X H, 2008 Chin. J. Semiconduct. 29 1682

    [8]

    Lin R B, Wang X J, Feng Q, Wang C, Zhang J C, Hao Y 2008 Acta Phys. Sin. 55 4487(in Chinese) [林若兵、王欣娟、冯 倩、王 冲、张进城、郝 跃 2008 物理学报 57 4487]

    [9]

    Wang C, Quan S, Zhang J F, Hao Y, Feng Q, Chen J F 2009 Acta Phys. Sin. 58 1966(in Chinese) [王 冲、全 思、张金凤、郝 跃、冯 倩、陈军峰 2009 物理学报 58 1966]

    [10]

    Drozdovski N V, Caverly R H 2002 Trans. Microwave Theory Tech. 50 4

    [11]

    Wang C, Feng Q, Hao Y, Wan H 2006 Acta Phys. Sin. 55 6085(in Chinese) [王 冲、冯 倩、郝 跃、万 辉 2006 物理学报 55 6085]

    [12]

    Jeon C M, Jang H W, Lee J L 2002 Appl. Phys. Lett. 82 391

  • [1]

    Masataka H, Toshiaki M, Takashi M 2006 IEEE Electron. Device. Lett. 27 16

    [2]

    Nakayama T, Ando Y, Okamoto Y, Inoue T, Miyamoto H 2006 Electron. Lett. 42 489

    [3]

    Lanford W B, Tanaka T, Otoki Y, Adesida I 2005 Electron. Lett. 41 449

    [4]

    Zhang H, Miller E J, Yu E T 2006 J. Appl. Phys. 99 023703

    [5]

    Cai Y,Zhou Y G, Chen K J, Lau K M 2005 IEEE Electron. Device. Lett. 26 435

    [6]

    Cai Y,Zhou Y G, Lau K M, Chen K J 2006 IEEE Trans. Electron. Device. 53 2207

    [7]

    Wang C, Zhang J F, Quan S, Hao Y, Zhang J C, Ma X H, 2008 Chin. J. Semiconduct. 29 1682

    [8]

    Lin R B, Wang X J, Feng Q, Wang C, Zhang J C, Hao Y 2008 Acta Phys. Sin. 55 4487(in Chinese) [林若兵、王欣娟、冯 倩、王 冲、张进城、郝 跃 2008 物理学报 57 4487]

    [9]

    Wang C, Quan S, Zhang J F, Hao Y, Feng Q, Chen J F 2009 Acta Phys. Sin. 58 1966(in Chinese) [王 冲、全 思、张金凤、郝 跃、冯 倩、陈军峰 2009 物理学报 58 1966]

    [10]

    Drozdovski N V, Caverly R H 2002 Trans. Microwave Theory Tech. 50 4

    [11]

    Wang C, Feng Q, Hao Y, Wan H 2006 Acta Phys. Sin. 55 6085(in Chinese) [王 冲、冯 倩、郝 跃、万 辉 2006 物理学报 55 6085]

    [12]

    Jeon C M, Jang H W, Lee J L 2002 Appl. Phys. Lett. 82 391

  • [1] 马骥刚, 马晓华, 张会龙, 曹梦逸, 张凯, 李文雯, 郭星, 廖雪阳, 陈伟伟, 郝跃. AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管中kink效应的半经验模型. 物理学报, 2012, 61(4): 047301. doi: 10.7498/aps.61.047301
    [2] 任舰, 闫大为, 顾晓峰. AlGaN/GaN 高电子迁移率晶体管漏电流退化机理研究. 物理学报, 2013, 62(15): 157202. doi: 10.7498/aps.62.157202
    [3] 刘静, 王琳倩, 黄忠孝. 基于凹槽结构抑制AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管电流崩塌效应. 物理学报, 2019, 68(24): 248501. doi: 10.7498/aps.68.20191311
    [4] 王冲, 赵梦荻, 裴九清, 何云龙, 李祥东, 郑雪峰, 毛维, 马晓华, 张进成, 郝跃. AlGaN/GaN双异质结F注入增强型高电子迁移率晶体管. 物理学报, 2016, 65(3): 038501. doi: 10.7498/aps.65.038501
    [5] 王冲, 全思, 张金凤, 郝跃, 冯倩, 陈军峰. AlGaN/GaN槽栅HEMT模拟与实验研究. 物理学报, 2009, 58(3): 1966-1970. doi: 10.7498/aps.58.1966
    [6] 张力, 林志宇, 罗俊, 王树龙, 张进成, 郝跃, 戴扬, 陈大正, 郭立新. 具有p-GaN岛状埋层耐压结构的横向AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管. 物理学报, 2017, 66(24): 247302. doi: 10.7498/aps.66.247302
    [7] 王凯, 邢艳辉, 韩军, 赵康康, 郭立建, 于保宁, 邓旭光, 范亚明, 张宝顺. 掺Fe高阻GaN缓冲层特性及其对AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管器件的影响研究. 物理学报, 2016, 65(1): 016802. doi: 10.7498/aps.65.016802
    [8] 刘林杰, 岳远征, 张进城, 马晓华, 董作典, 郝跃. Al2O3绝缘栅AlGaN/GaN MOS-HEMT器件温度特性研究. 物理学报, 2009, 58(1): 536-540. doi: 10.7498/aps.58.536
    [9] 郭亮良, 冯 倩, 郝 跃, 杨 燕. 高击穿电压的AlGaN/GaN FP-HEMT研究与分析. 物理学报, 2007, 56(5): 2895-2899. doi: 10.7498/aps.56.2895
    [10] 段宝兴, 杨银堂, Kevin J. Chen. 新型Si3N4层部分固定正电荷AlGaN/GaN HEMTs器件耐压分析. 物理学报, 2012, 61(24): 247302. doi: 10.7498/aps.61.247302
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出版历程
  • 收稿日期:  2010-01-18
  • 修回日期:  2010-02-04
  • 刊出日期:  2010-10-15

增强型AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管高温退火研究

  • 1. 宽禁带半导体材料与器件重点实验室,西安电子科技大学微电子学院,西安 710071
    基金项目: 

    国家科技重大专项(批准号:2008ZX01002-002)、国家自然科学基金重大项目(批准号:60890191)、国家自然科学基金重点项目 (批准号:60736033)、中国国防科技预研基金(批准号: 51308030102)和西安电子科技大学回国人员创新基金资助的课题.

摘要: 深入研究了两种增强型AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)高温退火前后的直流特性变化.槽栅增强型AlGaN/GaN HEMT在500 ℃ N2中退火5 min后,阈值电压由0.12 V正向移动到0.57 V,器件Schottky反向栅漏电流减小一个数量级.F注入增强型AlGaN/GaN HEMT在 400 ℃ N2中退火2 min后,器件阈值电压由0.23 V负向移动到-0.69 V,栅泄漏电流明显增大.槽栅增强型器件退火过程中Schottky有效势垒

English Abstract

参考文献 (12)

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