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Cd:O共掺杂AlN的电子结构和p型特性研究

高小奇 郭志友 曹东兴 张宇飞 孙慧卿 邓贝

Cd:O共掺杂AlN的电子结构和p型特性研究

高小奇, 郭志友, 曹东兴, 张宇飞, 孙慧卿, 邓贝
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  • 为研究Cd:O共掺杂纤锌矿AlN的p型特性,进而揭示导致纤锌矿AlN空穴浓度增加的机理,对Cd:O共掺杂AlN进行了基于密度泛函理论的第一性原理研究.通过计算Cdn-O(n=1,2,3,4)复合体掺杂AlN的结合能,发现Cd:O在AlN中可以稳定存在,共掺杂提高了Cd在AlN中的固溶度.分析Cd和Cd2-O掺杂AlN体系的激活能,发现Cd2-O的激活能比Cd减小0.21 eV,表明Cd2-O的空穴浓度比单掺Cd大约提高
    • 基金项目: 国家自然科学基金(批准号:10674051,60877069),广东省科技攻关计划(批准号:2007A010500011,2008B010200041)资助的课题.
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出版历程
  • 收稿日期:  2009-04-17
  • 修回日期:  2009-08-30
  • 刊出日期:  2010-05-15

Cd:O共掺杂AlN的电子结构和p型特性研究

  • 1. 华南师范大学光电子材料与技术研究所,广州 510631
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号:10674051,60877069),广东省科技攻关计划(批准号:2007A010500011,2008B010200041)资助的课题.

摘要: 为研究Cd:O共掺杂纤锌矿AlN的p型特性,进而揭示导致纤锌矿AlN空穴浓度增加的机理,对Cd:O共掺杂AlN进行了基于密度泛函理论的第一性原理研究.通过计算Cdn-O(n=1,2,3,4)复合体掺杂AlN的结合能,发现Cd:O在AlN中可以稳定存在,共掺杂提高了Cd在AlN中的固溶度.分析Cd和Cd2-O掺杂AlN体系的激活能,发现Cd2-O的激活能比Cd减小0.21 eV,表明Cd2-O的空穴浓度比单掺Cd大约提高

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