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Be, O共掺杂实现p型AlN的第一性原理研究

袁娣 黄多辉 罗华锋

Be, O共掺杂实现p型AlN的第一性原理研究

袁娣, 黄多辉, 罗华锋
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出版历程
  • 收稿日期:  2011-10-29
  • 修回日期:  2011-12-28
  • 刊出日期:  2012-07-05

Be, O共掺杂实现p型AlN的第一性原理研究

  • 1. 计算物理四川省高等学校重点实验室, 宜宾 644007;
  • 2. 宜宾学院物理与电子工程学院, 宜宾 644007
    基金项目: 

    四川省教育厅科研基金(批准号: 09ZC048)和宜宾学院项目(批准号: 2011z11)资助的课题.

摘要: 基于密度泛函理论框架下的第一性原理平面波超软赝势方法,研究了掺杂和非掺杂AlN体系的晶格参数、 能带结构、总体态密度、分波态密度、差分电荷分布及电荷集居数.计算结果表明: Be掺杂AlN晶体能够在能隙中形成深受主能级,空穴载流子局域于价带顶, 而引入了激活施主O原子的Be, O共掺杂方法,能使受主能带变宽、非局域化特征明显. 同时,受主能级向低能方向移动,形成了浅受主能级, 从而提高了Be原子的掺杂浓度和系统的稳定性. Be, O共掺杂更有利于获得p型AlN.

English Abstract

参考文献 (17)

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