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基于密度泛函理论框架下的第一性原理平面波超软赝势方法,研究了掺杂和非掺杂AlN体系的晶格参数、 能带结构、总体态密度、分波态密度、差分电荷分布及电荷集居数.计算结果表明: Be掺杂AlN晶体能够在能隙中形成深受主能级,空穴载流子局域于价带顶, 而引入了激活施主O原子的Be, O共掺杂方法,能使受主能带变宽、非局域化特征明显. 同时,受主能级向低能方向移动,形成了浅受主能级, 从而提高了Be原子的掺杂浓度和系统的稳定性. Be, O共掺杂更有利于获得p型AlN.
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关键词:
- 第一性原理 /
- 电子结构 /
- Be掺杂AlN /
- Be-O共掺杂AlN
[1] Ye H G, Chen G D, Zhu Y Z, Zhang J W 2009 Acta Phys. Sin. 56 5376 (in Chinese) [耶红刚, 陈光德, 竹有章, 张俊武 2009 物理学报 56 5376]
[2] Zhang Y 2008 Ph. D. Dissertation (Wuhan: Huazhong University of Science and Technology) (in Chinese) [张勇 2008 博士学位论文(武汉:华中科技大学)]
[3] Li Z J, Tian M, He L L 2011 Acta Phys. Sin. 60 098101 (in Chinese) [李志杰, 田鸣, 贺连龙 2011 物理学报 60 098101]
[4] Taniyasu Y, Kasu1 M, Makimoto T 2006 Nature 441 325
[5] Yamamoto T, Yoshida H K 1999 Jpn. J. Appl. Phys. Part 2 38 L166
[6] Chen K, Fan G H, Zhang Y, Ding S F 2008 Acta Phys. Sin. 57 3138 (in Chinese) [陈琨, 范广涵, 章勇, 丁少锋 2008 物理学报 57 3138]
[7] Ye Z Z, Lü J G, Zhan Y Z, He H P 2009 ZnO:Doping and Application (Hangzhou: Zhejiang University Press) p105 (in Chinese) [叶志镇, 吕建国, 张银珠, 何海平 2009 氧化锌半导体材料掺杂技术与应用(杭州:浙江大学出版社) 第105页]
[8] Wu R Q, Shen L, Yang M, Sha Z D, Cai Y Q, Feng Y P 2008 Phys. Rev. B 77 073203
[9] Gao X Q, Guo Z Y, Cao D X, Zhang Y F, Sun H Q, Deng B 2010 Acta Phys. Sin. 59 3418 (in Chinese) [高小奇, 郭志友, 曹东兴, 张宇飞, 孙慧卿, 邓贝 2010 物理学报 59 3418]
[10] Dong Y C, Guo Z Y, Bi Y J, Lin Z 2009 Journal of South China Normal University 1 55 (in Chinese) [董玉成, 郭志友, 毕艳军, 林竹 2009 华南师范大学学报 1 55]
[11] Zunger A 2003 Appl. Phys. Lett. 89 29
[12] Ishihara M, Li S J, Yumoto H, Akashi K, Ide Y 1998 Thin Solid Films 316 152
[13] Segall M D, Lindan P, Probet M J, Pickard C J, Hasnip P J, Clark S J, Payne M C 2002 J. Phys. Condens. Matter. 14 2717
[14] Perdew J, Burke K, Ernzerhof M 1996 Phys. Rev. Lett. 77 3865
[15] Vanderbilt D 1990 Phys. Rev. B 41 7892
[16] Dong Y C, Guo Z Y, Bi Y J, Lin Z 2009 Chin. J. Lumin. 30 314 (in Chinese) [董玉成, 郭志友, 毕艳军, 林竹 2009 发光学报 30 314]
[17] Zhang L M, Fan G H, Ding S F 2007 Acta Phys. -Chim. Sin. 23 1498 (in Chinese) [张丽敏, 范广涵, 丁少锋 2007 物理化学学报 23 1498]
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[1] Ye H G, Chen G D, Zhu Y Z, Zhang J W 2009 Acta Phys. Sin. 56 5376 (in Chinese) [耶红刚, 陈光德, 竹有章, 张俊武 2009 物理学报 56 5376]
[2] Zhang Y 2008 Ph. D. Dissertation (Wuhan: Huazhong University of Science and Technology) (in Chinese) [张勇 2008 博士学位论文(武汉:华中科技大学)]
[3] Li Z J, Tian M, He L L 2011 Acta Phys. Sin. 60 098101 (in Chinese) [李志杰, 田鸣, 贺连龙 2011 物理学报 60 098101]
[4] Taniyasu Y, Kasu1 M, Makimoto T 2006 Nature 441 325
[5] Yamamoto T, Yoshida H K 1999 Jpn. J. Appl. Phys. Part 2 38 L166
[6] Chen K, Fan G H, Zhang Y, Ding S F 2008 Acta Phys. Sin. 57 3138 (in Chinese) [陈琨, 范广涵, 章勇, 丁少锋 2008 物理学报 57 3138]
[7] Ye Z Z, Lü J G, Zhan Y Z, He H P 2009 ZnO:Doping and Application (Hangzhou: Zhejiang University Press) p105 (in Chinese) [叶志镇, 吕建国, 张银珠, 何海平 2009 氧化锌半导体材料掺杂技术与应用(杭州:浙江大学出版社) 第105页]
[8] Wu R Q, Shen L, Yang M, Sha Z D, Cai Y Q, Feng Y P 2008 Phys. Rev. B 77 073203
[9] Gao X Q, Guo Z Y, Cao D X, Zhang Y F, Sun H Q, Deng B 2010 Acta Phys. Sin. 59 3418 (in Chinese) [高小奇, 郭志友, 曹东兴, 张宇飞, 孙慧卿, 邓贝 2010 物理学报 59 3418]
[10] Dong Y C, Guo Z Y, Bi Y J, Lin Z 2009 Journal of South China Normal University 1 55 (in Chinese) [董玉成, 郭志友, 毕艳军, 林竹 2009 华南师范大学学报 1 55]
[11] Zunger A 2003 Appl. Phys. Lett. 89 29
[12] Ishihara M, Li S J, Yumoto H, Akashi K, Ide Y 1998 Thin Solid Films 316 152
[13] Segall M D, Lindan P, Probet M J, Pickard C J, Hasnip P J, Clark S J, Payne M C 2002 J. Phys. Condens. Matter. 14 2717
[14] Perdew J, Burke K, Ernzerhof M 1996 Phys. Rev. Lett. 77 3865
[15] Vanderbilt D 1990 Phys. Rev. B 41 7892
[16] Dong Y C, Guo Z Y, Bi Y J, Lin Z 2009 Chin. J. Lumin. 30 314 (in Chinese) [董玉成, 郭志友, 毕艳军, 林竹 2009 发光学报 30 314]
[17] Zhang L M, Fan G H, Ding S F 2007 Acta Phys. -Chim. Sin. 23 1498 (in Chinese) [张丽敏, 范广涵, 丁少锋 2007 物理化学学报 23 1498]
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