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F掺杂SnO2电子结构的模拟计算

徐 剑 黄水平 王占山 鲁大学 苑同锁

F掺杂SnO2电子结构的模拟计算

徐 剑, 黄水平, 王占山, 鲁大学, 苑同锁
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出版历程
  • 收稿日期:  2007-03-01
  • 修回日期:  2007-07-20
  • 刊出日期:  2007-12-20

F掺杂SnO2电子结构的模拟计算

  • 1. 
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号: 60544005)资助的课题.

摘要: 采用基于密度泛函理论的平面波赝势方法对SnO2:F体系的电子结构进行了第一性原理模拟计算.用广义梯度近似方法优化SnO2:F体系的晶胞结构,计算了体系基态总能.通过确定F掺杂对O的优先替代位置,计算了SnO2:F的能带结构、态密度、分波态密度.分析了F掺杂对SnO2晶体的电子结构和晶体性质及光学吸收边的影响,从理论上得出光学吸收边发生蓝移.对不同掺杂量的体系电子结构进行了分析.

English Abstract

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