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透射式指数掺杂GaAs光电阴极最佳厚度研究

杨智 邹继军 常本康

透射式指数掺杂GaAs光电阴极最佳厚度研究

杨智, 邹继军, 常本康
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出版历程
  • 收稿日期:  2009-09-08
  • 修回日期:  2009-11-04
  • 刊出日期:  2010-06-15

透射式指数掺杂GaAs光电阴极最佳厚度研究

  • 1. 南京理工大学电子工程与光电技术学院,南京 210094
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号:60678043,60801036)资助的课题.

摘要: 通过研究指数掺杂GaAs光电阴极中光电子扩散漂移长度与均匀掺杂GaAs光电阴极中光电子扩散长度的差异,确定透射式指数掺杂GaAs光电阴极的最佳厚度范围为16—22 μm.利用量子效率公式对透射式指数掺杂GaAs光电阴极最佳厚度进行了仿真分析,发现厚度为20 μm时阴极积分灵敏度最大.外延生长阴极厚度分别为16和20 μm的两种透射式指数掺杂GaAs样品并进行了激活实验,测得样品的积分灵敏度分别为1228和1547 μA/lm,两者的比值为796%. 实验结果与仿真结果符合.

English Abstract

参考文献 (18)

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