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窄带隙超晶格中载流子俄歇寿命和碰撞电离率的第一性原理研究

孙伟峰 李美成 赵连城

窄带隙超晶格中载流子俄歇寿命和碰撞电离率的第一性原理研究

孙伟峰, 李美成, 赵连城
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  • 通过第一性原理的完整形式,基于全势能线性化增广平面波方法确定的精确能带结构和波函数,推算了技术上极为重要的窄带隙半导体超晶格中载流子俄歇复合时间.少数载流子的俄歇寿命由两种相关的方法来确定:1)由Fermi-金规则直接估算,2)联系俄歇复合和其相反过程碰撞电离,建立细致平衡公式,在一个统一的结构中进行间接估算.在n掺杂HgTe/CdTe和InAs/InxGa1-xSb超晶格中,由直接和间接的方法确定的寿命与一些实验结果相当一致.这说明该计算模式可以作为一种精确的手段用于窄带隙超晶格材料的性能优化.
    • 基金项目: 国家自然科学基金(批准号:50502014,50972032),国家高技术研究发展计划(批准号:2009AA03Z407)资助的课题.
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出版历程
  • 收稿日期:  2009-11-18
  • 修回日期:  2009-12-22
  • 刊出日期:  2010-04-05

窄带隙超晶格中载流子俄歇寿命和碰撞电离率的第一性原理研究

  • 1. 哈尔滨工业大学材料科学与工程学院,哈尔滨 150001
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号:50502014,50972032),国家高技术研究发展计划(批准号:2009AA03Z407)资助的课题.

摘要: 通过第一性原理的完整形式,基于全势能线性化增广平面波方法确定的精确能带结构和波函数,推算了技术上极为重要的窄带隙半导体超晶格中载流子俄歇复合时间.少数载流子的俄歇寿命由两种相关的方法来确定:1)由Fermi-金规则直接估算,2)联系俄歇复合和其相反过程碰撞电离,建立细致平衡公式,在一个统一的结构中进行间接估算.在n掺杂HgTe/CdTe和InAs/InxGa1-xSb超晶格中,由直接和间接的方法确定的寿命与一些实验结果相当一致.这说明该计算模式可以作为一种精确的手段用于窄带隙超晶格材料的性能优化.

English Abstract

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