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Al-2N高共掺浓度对ZnO半导体导电性能影响的第一性原理研究

侯清玉 赵春旺 金永军

Al-2N高共掺浓度对ZnO半导体导电性能影响的第一性原理研究

侯清玉, 赵春旺, 金永军
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出版历程
  • 收稿日期:  2009-02-05
  • 修回日期:  2009-02-20
  • 刊出日期:  2009-10-20

Al-2N高共掺浓度对ZnO半导体导电性能影响的第一性原理研究

  • 1. 内蒙古工业大学理学院物理系,呼和浩特 010051
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号:10862002)资助的课题.

摘要: 采用基于密度泛函理论(DFT)框架下的第一性原理平面波超软赝势方法,在同等环境条件下,建立了不同大小的ZnO模型,在ZnO中对不同浓度的氮和铝原子进行了高掺杂,并对低温条件下高掺杂氮和铝原子的ZnO半导体进行了态密度计算,然后分别对进入价带的相对空穴数和空穴散射迁移率进行了计算,最后对电导率进行了类比,发现适量低浓度的高掺杂氮和铝原子会使ZnO半导体的导电性能增强.即在低温高掺杂氮和铝原子的条件下,ZnO半导体的电导率不仅与掺杂氮和铝原子浓度有关,而且和进入价带的相对空穴数有关.和空穴散射的迁移率有关的结

English Abstract

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