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p型K:ZnO导电机理的第一性原理研究

杨银堂 武 军 蔡玉荣 丁瑞雪 宋久旭 石立春

p型K:ZnO导电机理的第一性原理研究

杨银堂, 武 军, 蔡玉荣, 丁瑞雪, 宋久旭, 石立春
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出版历程
  • 收稿日期:  2008-04-09
  • 修回日期:  2008-05-06
  • 刊出日期:  2008-11-20

p型K:ZnO导电机理的第一性原理研究

  • 1. (1)西安电子科技大学微电子学院,教育部宽禁带半导体材料与器件重点实验室,西安 710071; (2)浙江理工大学材料纺织学院,杭州 310018
    基金项目: 

    国防科技预研项目(批准号:51323040118,51308030201)资助的课题.

摘要: 基于密度泛函理论,利用局域密度近似的第一性原理平面波赝势方法,对掺K以及含有氢填隙(Hi)、氧空位(VO)、锌填隙(Zni)和锌空位(VZn)的K:ZnO电子结构分别进行了研究.结果表明,1) 单独掺K可引入浅受主,但系统总能增高;2) K与H共掺可降低系统总能,提升稳定性;3) VO在K+H:ZnO中的形成比Zni困难得多,二者都是

English Abstract

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