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考虑通孔效应和边缘传热效应的纳米级互连线温度分布模型

朱樟明 郝报田 钱利波 钟波 杨银堂

考虑通孔效应和边缘传热效应的纳米级互连线温度分布模型

朱樟明, 郝报田, 钱利波, 钟波, 杨银堂
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出版历程
  • 收稿日期:  2009-04-05
  • 修回日期:  2009-06-09
  • 刊出日期:  2009-10-20

考虑通孔效应和边缘传热效应的纳米级互连线温度分布模型

  • 1. 西安电子科技大学微电子研究所,西安 710071
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号:60725415,60676009,60776034)、国家高技术研究发展计划(批准号:2009AA01Z258,2009AA01Z260)和西安AM创新基金(批准号:XA-AM-200814)资助的课题.

摘要: 提出了同时考虑通孔效应和边缘传热效应的互连线温度分布模型,获得了适用于单层互连线和多层互连线温度分布的解析模型,并基于65 nm互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺参数计算了不同长度单层互连线和多层互连线的温度分布.对于单层互连线,考虑通孔效应后中低层互连线的温升非常低,而全局互连线几乎不受通孔效应的影响,温升仍然很高.对于多层互连线,最上层互连线的温升最高,温升和互连介质层厚度近似成正比,而且互连介质材料热导率越低,温升越高.所提出的互连线温度分布模型,能应用于纳米级CMOS计算机辅助设计.

English Abstract

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