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相变存储材料Ge1Sb2Te4和Ge2Sb2Te5薄膜的结构和电学特性研究

廖远宝 徐岭 杨菲 刘文强 刘东 徐骏 马忠元 陈坤基

相变存储材料Ge1Sb2Te4和Ge2Sb2Te5薄膜的结构和电学特性研究

廖远宝, 徐岭, 杨菲, 刘文强, 刘东, 徐骏, 马忠元, 陈坤基
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  • 采用射频磁控溅射方法制备了两种用于相变存储器的Ge1Sb2Te4和Ge2Sb2Te5相变薄膜材料,对其结构、电学输运性质和恒温下电阻随时间的变化关系进行了比较和分析.X射线衍射(XRD)和原子力显微镜(AFM)的结果表明:随着退火温度的升高,Ge1Sb2Te4薄膜逐步晶化,由非晶态转变为多晶态,表面出现均匀的、
    • 基金项目: 国家自然科学基金 (批准号:60976001和50872051),江苏省自然科学基金(批准号:BK2008253),国家重点基础研究发展计划(批准号:2007CB935401和2010CB934402)和高等学校博士学科点专项科研基金(批准号:20090091110010)资助的课题.
    [1]

    Ovshinsky S R 1968 Phys. Rev. Lett. 21 1450

    [2]

    Lai S, Lowrey T 2001 IEEE IEDM Tech. Dig. 1 803

    [3]

    Pirovano A, Lacaita A L, Benvenuti A, Pellizzer F, Bez R 2004 IEEE Trans. Electr. Dev. 51 452

    [4]

    Yamada N, Ohno E, Nishiuchi K, Akahira N, Takao M 1991 J. Appl. Phys. 69 2849

    [5]

    Abrikosov N K, Danilova-Dobryakova G T, Auk I A 1965 SSSR. Neorg. Mater. 1 204

    [6]

    Kolobov A V, Fons P, Frenkel A I, Ankudinov A L, Tominaga J J, Uruga T 2004 Nat. Mater. 3 703

    [7]

    Wuttig M 2005 Nat. Mater. 4 265

    [8]

    Sun Z M, Zhou J, Blomqvist A, Johansson B, Ahuja R 2009 Phys. Rev. Lett. 21 1450

    [9]

    Shelby R M, Raoux 2009 J. Appl. Phys. 105 104902

    [10]

    Lai Y F, Feng J, Qiao B W, Lin Y, Lin Y Y, Tang T A, Cai B C, Chen B M 2006 Acta Phys. Sin. 55 4347 (in Chinese)[赖云峰、冯 洁、乔保卫、凌 云、林殷茵、汤庭鳌、蔡炳初、陈邦明 2006 物理学报 55 4347]

    [11]

    Zhang Z F, Zhang Y, Feng J, Cai Y F, Lin Y Y, Cai B C, Tang T A,Chen B M 2007 Acta Phys. Sin. 56 4224 (in Chinese)[张祖发、张 胤、冯 洁、蔡燕飞、林殷茵、蔡炳初、汤庭鳌、陈邦明 2007 物理学报 56 4224]

    [12]

    Weidenhof V, Friedrich I 1999 J. Appl. Phys.86 5879

    [13]

    Zhang T, Song Z T, Liu B, Feng G S, Feng S L, Chen B 2007 Thin Solid Films 516 42

    [14]

    Zhang T, Liu B, Xia J L, Song Z T, Feng S L, Chen B 2004 Chin. Phys. Lett. 21 741

    [15]

    Baily S A, Emin D, Li H 2006 Solid State Commun.139 161

    [16]

    Liu E K, Zhu B S, Luo J S Semiconductor Physics (Beijing: National Defense Industry Press) p85 (in Chinese) [刘恩科、朱秉升、罗晋生 半导体物理学 (北京: 国防工业出版社) 第85页]

  • [1]

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    Lai S, Lowrey T 2001 IEEE IEDM Tech. Dig. 1 803

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    Pirovano A, Lacaita A L, Benvenuti A, Pellizzer F, Bez R 2004 IEEE Trans. Electr. Dev. 51 452

    [4]

    Yamada N, Ohno E, Nishiuchi K, Akahira N, Takao M 1991 J. Appl. Phys. 69 2849

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    Abrikosov N K, Danilova-Dobryakova G T, Auk I A 1965 SSSR. Neorg. Mater. 1 204

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    Kolobov A V, Fons P, Frenkel A I, Ankudinov A L, Tominaga J J, Uruga T 2004 Nat. Mater. 3 703

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    [3] 李闯, 李伟伟, 蔡理, 谢丹, 刘保军, 向兰, 杨晓阔, 董丹娜, 刘嘉豪, 陈亚博. 基于银纳米线电极-rGO敏感材料的柔性NO2气体传感器. 物理学报, 2020, 69(5): 058101. doi: 10.7498/aps.69.20191390
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    [8] 翁明, 谢少毅, 殷明, 曹猛. 介质材料二次电子发射特性对微波击穿的影响. 物理学报, 2020, (): . doi: 10.7498/aps.69.20200026
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出版历程
  • 收稿日期:  2009-12-10
  • 修回日期:  2010-01-24
  • 刊出日期:  2010-09-15

相变存储材料Ge1Sb2Te4和Ge2Sb2Te5薄膜的结构和电学特性研究

  • 1. 南京大学物理学院,南京微结构国家实验室,江苏省光电信息功能材料重点实验室,南京 210093
    基金项目: 

    国家自然科学基金 (批准号:60976001和50872051),江苏省自然科学基金(批准号:BK2008253),国家重点基础研究发展计划(批准号:2007CB935401和2010CB934402)和高等学校博士学科点专项科研基金(批准号:20090091110010)资助的课题.

摘要: 采用射频磁控溅射方法制备了两种用于相变存储器的Ge1Sb2Te4和Ge2Sb2Te5相变薄膜材料,对其结构、电学输运性质和恒温下电阻随时间的变化关系进行了比较和分析.X射线衍射(XRD)和原子力显微镜(AFM)的结果表明:随着退火温度的升高,Ge1Sb2Te4薄膜逐步晶化,由非晶态转变为多晶态,表面出现均匀的、

English Abstract

参考文献 (16)

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