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Sb2Te3热电薄膜的离子束溅射制备与表征

范平 郑壮豪 梁广兴 张东平 蔡兴民

Sb2Te3热电薄膜的离子束溅射制备与表征

范平, 郑壮豪, 梁广兴, 张东平, 蔡兴民
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出版历程
  • 收稿日期:  2009-09-15
  • 修回日期:  2009-10-20
  • 刊出日期:  2010-01-05

Sb2Te3热电薄膜的离子束溅射制备与表征

  • 1. 深圳大学物理科学与技术学院,薄膜物理与应用研究所,深圳市传感器技术重点实验室,深圳 518060
    基金项目: 

    深圳市传感器技术重点实验室开放基金(批准号:SST200901)资助的课题.

摘要: 采用离子束溅射技术交替沉积Sb-Te-Sb多层薄膜后进行高真空热处理,直接制备Sb2Te3薄膜.利用X射线衍射(XRD)仪、霍尔系数测试仪、薄膜Seebeck系数测量系统对所制备的薄膜特性进行表征.XRD测量结果显示,薄膜的主要衍射峰与Sb2Te3标准衍射峰相同,在[101]/[012]晶向取向明显,存在较多的Te杂质峰;霍尔系数测试结果表明,薄膜为p型半导体薄膜,薄膜电阻率较低,其电导率接近于金属电导率,载流子浓度量级为1023 cm-3,具有良好的电学性能;Seebeck系数测量结果显示,薄膜具有良好的热电性能,在不同条件下制备的薄膜的Seebeck系数在7.8—62 μV/K范围;在所制备的薄膜中,退火时间为6 h、退火温度为200 ℃的薄膜其Seebeck系数达到最大,约为62 μV/K,且电阻率最小.

English Abstract

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