搜索

文章查询

x

留言板

尊敬的读者、作者、审稿人, 关于本刊的投稿、审稿、编辑和出版的任何问题, 您可以本页添加留言。我们将尽快给您答复。谢谢您的支持!

姓名
邮箱
手机号码
标题
留言内容
验证码

LiGaX2(X=S, Se, Te)的电子结构,光学和弹性性质的第一性原理计算

杨利君 陈海川

LiGaX2(X=S, Se, Te)的电子结构,光学和弹性性质的第一性原理计算

杨利君, 陈海川
PDF
导出引用
导出核心图
  • 采用基于第一性原理的密度泛函理论赝势平面波方法,对LiGaX2(X=S, Se, Te)的能带结构、态密度、光学以及弹性性质进行了理论计算. 能带结构计算表明LiGaS2 的禁带宽度为4.146 eV, LiGaSe2 的禁带宽度为3.301 eV, LiGaTe2 的禁带宽度为2.306 eV; 其价带主要由Ga-4p 层电子和X- np 层电子的能态密度决定; 同时也对LiGaX<
    [1]

    Leal-Gonzalez J, Melibary S S, Smith A J 1990 Acta Crystallogr. Sect. C: Cryst. Struct. Commun. 46 2017

    [2]

    Isaenko L, Yelisseyev A, Lobanov S, Titov A, Petrov V, Zondy J J, Krinitsin P, Merkulov A, Vedenyapin V, Smirnova J 2003 Cryst. Res. Technol. 38 379

    [3]

    Petrov V, Yelisseev A, Isaenko L, Lobanov S, Titov A, Zondy J J 2004 Appl. Phys. B 78 543

    [4]

    Hoppe R 1965 Bull. Soc. Chim. Fr. 1115

    [5]

    Kish Z Z, Loshchak V V, Peresh E Y, Semrad E E 1989 Inorg. Mater. 25 1658

    [6]

    Kuriyama K, Nozaki T 1981 J. Appl. Phys. 52 6441

    [7]

    Atuchin V V, Isaenko L I, Kesler V G, Lobanov S, Huang H, Lin Z S 2009 Solid State Commun. 149 572

    [8]

    Bai L, Lin Z S, Wang Z Z, Chen C T 2008 J. Appl. Phys. 103 083111

    [9]

    Ma T H, Yang C H, Xie Y, Sun L, Lv W Q, Wang R, Ren Y L 2010 Physica B 405 363

    [10]

    Kosobutsky A V, Basalaev Y M, Poplavnoi A S 2009 Phys. Stat. Sol. B 246 364

    [11]

    Reshak A H, Auluck S, Kityk I V, Douri Y A, Khenata R, Bouhemadou A 2009 Appl. Phys. A 94 315

    [12]

    Isaenko L, Krinitsin P, Vedenyapin V, Yelisseyev A, Merkulov A, Zondy J J, Petrov V 2005 Cryst. Growth Des. 5 1325

    [13]

    Perdew J P, Wang Y 1992 Phys. Rev. B: Condens. Matter 45 13244

    [14]

    Monkhorst H J, Pack J D 1976 Phys. Rev. B: Condens. Matter 13 5188

    [15]

    Guan L, Li Q, Zhao Q X, Gao J X, Zhou Y, Jin L T, Geng B, Liu B T 2009 Acta Phys. Sin. 58 5624(in Chinese) [关 丽、李 强、赵庆勋、郭建新、周 阳、金利涛、耿 波、刘保亭 2009 物理学报 58 5624] 〖16] Saha S, Sinha T P 2002 Phys. Rev. B: Condens. Matter 62 8828

    [16]

    Cai M Q, Yin Z, Zhang M S 2003 Appl. Phys. Lett. 83 2805

    [17]

    Samantaray C B, Sim H, Hwang H 2005 Appl. Surf. Sci. 250 146

    [18]

    Godby R W, Schluter M, Sham L J 1981 Phys. Rev. B 24 3417

    [19]

    Li L H, Li J Q, Wu L M 2008 J. Solid State Chem. 181 2462

    [20]

    Le L C, Ma X G, Tang H, Wang Y, Li X, Jiang J J 2010 Acta Phys. Sin. 59 1314(in Chinese) [乐伶聪、马新国、唐 豪、王 扬、李 翔、江建军 2010 物理学报 59 1314]

    [21]

    Li X Z, Xie Q, Chen Q, Zhao F J, Cui D M 2010 Acta Phys. Sin. 59 2016(in Chinese) [李旭珍、谢 泉、陈 茜、赵凤娟、崔冬萌 2010 物理学报 59 2016]

    [22]

    Huang Y X, Cao Q X, Li Z M, Li G F, Wang Y P, Wei Y G 2009 Acta Phys. Sin. 58 8002(in Chinese) [黄云霞、曹全喜、李智敏、李桂芳、王毓鹏、卫云鸽 2009 物理学报 58 8002]

    [23]

    Chen K, Fan G H, Zhang Y 2008 Acta Phys. Sin. 57 1054(in Chinese) [陈 琨、范广涵、章 勇 2008 物理学报 57 1054]

    [24]

    Voigt W 1928 Lehrbuch der Kristallphysik (Leipzig: Taubner)

    [25]

    Liu N N, Song R B, Sun H Y, Du D W 2008 Acta Phys. Sin.57 7145 (in Chinese) 刘娜娜、宋仁伯、孙翰英、杜大伟 2008 物理学报 57 7145]

    [26]

    Reuss A, Angew Z 1929 Math. Mech. 9 55

    [27]

    Hill R 1952 Proc. Phys. Soc. 65 350

    [28]

    Rodrguez-Hernandez P, Hadj Haffida N, Munoz A 1999 Phys. Stat. Sol. B 211 23

    [29]

    Wu Z J, Hao X F, Liu X J, Meng J. 2007 Phys. Rev. B: Condens. Matter 75 054115

  • [1]

    Leal-Gonzalez J, Melibary S S, Smith A J 1990 Acta Crystallogr. Sect. C: Cryst. Struct. Commun. 46 2017

    [2]

    Isaenko L, Yelisseyev A, Lobanov S, Titov A, Petrov V, Zondy J J, Krinitsin P, Merkulov A, Vedenyapin V, Smirnova J 2003 Cryst. Res. Technol. 38 379

    [3]

    Petrov V, Yelisseev A, Isaenko L, Lobanov S, Titov A, Zondy J J 2004 Appl. Phys. B 78 543

    [4]

    Hoppe R 1965 Bull. Soc. Chim. Fr. 1115

    [5]

    Kish Z Z, Loshchak V V, Peresh E Y, Semrad E E 1989 Inorg. Mater. 25 1658

    [6]

    Kuriyama K, Nozaki T 1981 J. Appl. Phys. 52 6441

    [7]

    Atuchin V V, Isaenko L I, Kesler V G, Lobanov S, Huang H, Lin Z S 2009 Solid State Commun. 149 572

    [8]

    Bai L, Lin Z S, Wang Z Z, Chen C T 2008 J. Appl. Phys. 103 083111

    [9]

    Ma T H, Yang C H, Xie Y, Sun L, Lv W Q, Wang R, Ren Y L 2010 Physica B 405 363

    [10]

    Kosobutsky A V, Basalaev Y M, Poplavnoi A S 2009 Phys. Stat. Sol. B 246 364

    [11]

    Reshak A H, Auluck S, Kityk I V, Douri Y A, Khenata R, Bouhemadou A 2009 Appl. Phys. A 94 315

    [12]

    Isaenko L, Krinitsin P, Vedenyapin V, Yelisseyev A, Merkulov A, Zondy J J, Petrov V 2005 Cryst. Growth Des. 5 1325

    [13]

    Perdew J P, Wang Y 1992 Phys. Rev. B: Condens. Matter 45 13244

    [14]

    Monkhorst H J, Pack J D 1976 Phys. Rev. B: Condens. Matter 13 5188

    [15]

    Guan L, Li Q, Zhao Q X, Gao J X, Zhou Y, Jin L T, Geng B, Liu B T 2009 Acta Phys. Sin. 58 5624(in Chinese) [关 丽、李 强、赵庆勋、郭建新、周 阳、金利涛、耿 波、刘保亭 2009 物理学报 58 5624] 〖16] Saha S, Sinha T P 2002 Phys. Rev. B: Condens. Matter 62 8828

    [16]

    Cai M Q, Yin Z, Zhang M S 2003 Appl. Phys. Lett. 83 2805

    [17]

    Samantaray C B, Sim H, Hwang H 2005 Appl. Surf. Sci. 250 146

    [18]

    Godby R W, Schluter M, Sham L J 1981 Phys. Rev. B 24 3417

    [19]

    Li L H, Li J Q, Wu L M 2008 J. Solid State Chem. 181 2462

    [20]

    Le L C, Ma X G, Tang H, Wang Y, Li X, Jiang J J 2010 Acta Phys. Sin. 59 1314(in Chinese) [乐伶聪、马新国、唐 豪、王 扬、李 翔、江建军 2010 物理学报 59 1314]

    [21]

    Li X Z, Xie Q, Chen Q, Zhao F J, Cui D M 2010 Acta Phys. Sin. 59 2016(in Chinese) [李旭珍、谢 泉、陈 茜、赵凤娟、崔冬萌 2010 物理学报 59 2016]

    [22]

    Huang Y X, Cao Q X, Li Z M, Li G F, Wang Y P, Wei Y G 2009 Acta Phys. Sin. 58 8002(in Chinese) [黄云霞、曹全喜、李智敏、李桂芳、王毓鹏、卫云鸽 2009 物理学报 58 8002]

    [23]

    Chen K, Fan G H, Zhang Y 2008 Acta Phys. Sin. 57 1054(in Chinese) [陈 琨、范广涵、章 勇 2008 物理学报 57 1054]

    [24]

    Voigt W 1928 Lehrbuch der Kristallphysik (Leipzig: Taubner)

    [25]

    Liu N N, Song R B, Sun H Y, Du D W 2008 Acta Phys. Sin.57 7145 (in Chinese) 刘娜娜、宋仁伯、孙翰英、杜大伟 2008 物理学报 57 7145]

    [26]

    Reuss A, Angew Z 1929 Math. Mech. 9 55

    [27]

    Hill R 1952 Proc. Phys. Soc. 65 350

    [28]

    Rodrguez-Hernandez P, Hadj Haffida N, Munoz A 1999 Phys. Stat. Sol. B 211 23

    [29]

    Wu Z J, Hao X F, Liu X J, Meng J. 2007 Phys. Rev. B: Condens. Matter 75 054115

  • [1] 方文玉, 张鹏程, 赵军, 康文斌. H, F修饰单层GeTe的电子结构与光催化性质. 物理学报, 2020, 69(5): 056301. doi: 10.7498/aps.69.20191391
    [2] 徐贤达, 赵磊, 孙伟峰. 石墨烯纳米网电导特性的能带机理第一原理. 物理学报, 2020, 69(4): 047101. doi: 10.7498/aps.69.20190657
    [3] 任县利, 张伟伟, 伍晓勇, 吴璐, 王月霞. 高熵合金短程有序现象的预测及其对结构的电子、磁性、力学性质的影响. 物理学报, 2020, 69(4): 046102. doi: 10.7498/aps.69.20191671
    [4] 董正琼, 赵杭, 朱金龙, 石雅婷. 入射光照对典型光刻胶纳米结构的光学散射测量影响分析. 物理学报, 2020, 69(3): 030601. doi: 10.7498/aps.69.20191525
    [5] 左富昌, 梅志武, 邓楼楼, 石永强, 贺盈波, 李连升, 周昊, 谢军, 张海力, 孙艳. 多层嵌套掠入射光学系统研制及在轨性能评价. 物理学报, 2020, 69(3): 030702. doi: 10.7498/aps.69.20191446
    [6] 胡耀华, 刘艳, 穆鸽, 秦齐, 谭中伟, 王目光, 延凤平. 基于多模光纤散斑的压缩感知在光学图像加密中的应用. 物理学报, 2020, 69(3): 034203. doi: 10.7498/aps.69.20191143
    [7] 翁明, 谢少毅, 殷明, 曹猛. 介质材料二次电子发射特性对微波击穿的影响. 物理学报, 2020, (): . doi: 10.7498/aps.69.20200026
    [8] 刘乃漳, 张雪冰, 姚若河. AlGaN/GaN 高电子迁移率器件外部边缘电容的物理模型. 物理学报, 2020, (): . doi: 10.7498/aps.69.20191931
    [9] 罗端, 惠丹丹, 温文龙, 李立立, 辛丽伟, 钟梓源, 吉超, 陈萍, 何凯, 王兴, 田进寿. 超紧凑型飞秒电子衍射仪的设计. 物理学报, 2020, 69(5): 052901. doi: 10.7498/aps.69.20191157
    [10] 梁琦, 王如志, 杨孟骐, 王长昊, 刘金伟. Al2O3衬底无催化剂生长GaN纳米线及其光学性能研究. 物理学报, 2020, (): . doi: 10.7498/aps.69.20191923
    [11] 王艳, 徐进良, 李文, 刘欢. 超临界Lennard-Jones流体结构特性分子动力学研究. 物理学报, 2020, (): . doi: 10.7498/aps.69.20191591
    [12] 赵建宁, 刘冬欢, 魏东, 尚新春. 考虑界面接触热阻的一维复合结构的热整流机理. 物理学报, 2020, 69(5): 056501. doi: 10.7498/aps.69.20191409
    [13] 刘祥, 米文博. Verwey相变处Fe3O4的结构、磁性和电输运特性. 物理学报, 2020, 69(4): 040505. doi: 10.7498/aps.69.20191763
    [14] 白家豪, 郭建刚. 石墨烯/柔性基底复合结构双向界面切应力传递问题的理论研究. 物理学报, 2020, 69(5): 056201. doi: 10.7498/aps.69.20191730
    [15] 尹玉明, 赵伶玲. 离子浓度及表面结构对岩石孔隙内水流动特性的影响. 物理学报, 2020, 69(5): 054701. doi: 10.7498/aps.69.20191742
    [16] 刘丽, 刘杰, 曾健, 翟鹏飞, 张胜霞, 徐丽君, 胡培培, 李宗臻, 艾文思. 快重离子辐照对YBa2Cu3O7-δ薄膜微观结构及载流特性的影响. 物理学报, 2020, (): . doi: 10.7498/aps.69.20191914
    [17] 刘文姝, 高润亮, 冯红梅, 刘悦悦, 黄怡, 王建波, 刘青芳. 真空磁场热处理温度对不同厚度的Ni88Cu12薄膜畴结构及磁性的影响. 物理学报, 2020, (): . doi: 10.7498/aps.69.20191942
    [18] 邹平, 吕丹, 徐桂英. 高压烧结制备Tb掺杂n型(Bi1–xTbx)2(Te0.9Se0.1)3合金及其微结构和热电性能. 物理学报, 2020, 69(5): 057201. doi: 10.7498/aps.69.20191561
    [19] 汪静丽, 陈子玉, 陈鹤鸣. 基于Si3N4/SiNx/Si3N4三明治结构的偏振无关1 × 2多模干涉型解复用器的设计. 物理学报, 2020, 69(5): 054206. doi: 10.7498/aps.69.20191449
  • 引用本文:
    Citation:
计量
  • 文章访问数:  3562
  • PDF下载量:  1070
  • 被引次数: 0
出版历程
  • 收稿日期:  2009-11-04
  • 修回日期:  2010-04-21
  • 刊出日期:  2011-01-15

LiGaX2(X=S, Se, Te)的电子结构,光学和弹性性质的第一性原理计算

  • 1. (1)四川大学电子信息学院,成都 610064; (2)西华大学电气信息学院,成都 610039;四川大学电子信息学院,成都 610064

摘要: 采用基于第一性原理的密度泛函理论赝势平面波方法,对LiGaX2(X=S, Se, Te)的能带结构、态密度、光学以及弹性性质进行了理论计算. 能带结构计算表明LiGaS2 的禁带宽度为4.146 eV, LiGaSe2 的禁带宽度为3.301 eV, LiGaTe2 的禁带宽度为2.306 eV; 其价带主要由Ga-4p 层电子和X- np 层电子的能态密度决定; 同时也对LiGaX<

English Abstract

参考文献 (29)

目录

    /

    返回文章
    返回