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硅、锗中氧的低温红外吸收

许振嘉 陈玉璋 江德生 宋春英 李贺成 宋祥芳 叶亦英

硅、锗中氧的低温红外吸收

许振嘉, 陈玉璋, 江德生, 宋春英, 李贺成, 宋祥芳, 叶亦英
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出版历程
  • 收稿日期:  1979-09-03
  • 刊出日期:  2005-07-29

硅、锗中氧的低温红外吸收

  • 1. (1)武汉大学物理系; (2)冶金工业部有色金属研究院; (3)中国科学院半导体研究所

摘要: 在6—300K下,利用红外傅里叶光谱仪研究了400—4000cm-1间的硅、锗中氧的红外吸收。采用高分辨条件时,分辨率可达0.5cm-1。研究了在低温下利用硅的1106cm-1吸收峰和锗的855cm-1吸收峰探测硅和锗氧含量的探测限和误差。若样品厚度为2cm,估计在20K下,硅中氧含量探测限~9.6×1014氧原子·cm-3,锗中氧含量探测限~3.0×1014氧原子·cm-3。同时,对不同生长条件下直拉锗单晶的氧含量进行了研究,并与用锂沉淀法所求得的锗中氧含量加以比较。对不同氧含量的硅样品的1106cm-1吸收峰在6—300K的变化进行了观察和讨论。

English Abstract

参考文献 (1)

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