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固态硅中Si—H红外吸收谱的频移

崔树范 麦振洪 储晞

固态硅中Si—H红外吸收谱的频移

崔树范, 麦振洪, 储晞
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出版历程
  • 收稿日期:  1984-06-22
  • 刊出日期:  1985-04-05

固态硅中Si—H红外吸收谱的频移

  • 1. 中国科学院物理研究所

摘要: 本文解释了固态硅中Si—H红外吸收谱相对于气体亚硅烷谱线的频移。结果说明固态硅中存在同亚硅烷分子相似的基团。

English Abstract

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