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利用Keating模型计算Si(1-x)Gex及非晶硅的拉曼频移

段宝兴 杨银堂

利用Keating模型计算Si(1-x)Gex及非晶硅的拉曼频移

段宝兴, 杨银堂
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出版历程
  • 收稿日期:  2008-11-19
  • 修回日期:  2009-02-23
  • 刊出日期:  2009-10-20

利用Keating模型计算Si(1-x)Gex及非晶硅的拉曼频移

  • 1. 西安电子科技大学微电子学院,宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,西安 710071
    基金项目: 

    国家杰出青年科学基金(批准号: 60725415)资助的课题.

摘要: 利用Keating模型计算了Si(1-x)Gex合金中Si—Si,Ge—Ge和Si—Ge三种振动模态的拉曼频移,计算分别获得Ge浓度为01,05和09时,Si—Ge的振动拉曼频移分别为40275,41339和38815 cm-1,这些结果与文献的实验结果符合,证明了Keating模型建立的关于原子振动模型是有效的,并可以利用拉伸压缩和相邻原子键之间弹性系数变化获得处于应变状态的拉曼光谱频率.利用Kea

English Abstract

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