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前端接触势垒高度对非晶硅和微晶硅异质结太阳电池的影响

张勇 刘艳 吕斌 王基庆 张红英 汤乃云

前端接触势垒高度对非晶硅和微晶硅异质结太阳电池的影响

张勇, 刘艳, 吕斌, 王基庆, 张红英, 汤乃云
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出版历程
  • 收稿日期:  2008-06-06
  • 修回日期:  2008-09-26
  • 刊出日期:  2009-02-05

前端接触势垒高度对非晶硅和微晶硅异质结太阳电池的影响

  • 1. (1)华东师范大学电子科学与工程系,上海 200062; (2)上海电力学院计算机与信息工程学院,上海 200090
    基金项目: 

    上海市教育委员会科研创新计划(批准号:08LZ142)资助的课题.

摘要: 运用AMPS-1D(Analysis of Microelectronic and Photonic Structures) 程序系统分析了前端接触(铟锡氧化物)的势垒分别对非晶硅和微晶硅太阳电池性能的影响,比较了两种影响的差异并分析了具体原因. 研究表明:与微晶硅相比,非晶硅受铟锡氧化物功函数ΦITO的影响更加显著. 随着ΦITO的增加非晶硅的各项物理性能(如太阳电池效率、填充因子等)得到明显改善,而微晶硅的各项参数虽然也随ΦITO增加而改变,但更容易趋于饱和. 模拟结果显示,在实际的太阳电池装备过程中可根据前端电极的性能来选择合适的p型硅材料.

English Abstract

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