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非晶/微晶两相硅薄膜电池的计算机模拟

孔光临 曾湘波 许 颖 刁宏伟 廖显伯 郝会颖

非晶/微晶两相硅薄膜电池的计算机模拟

孔光临, 曾湘波, 许 颖, 刁宏伟, 廖显伯, 郝会颖
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出版历程
  • 收稿日期:  2004-10-10
  • 修回日期:  2004-12-09
  • 刊出日期:  2005-07-07

非晶/微晶两相硅薄膜电池的计算机模拟

  • 1. (1)中国科学院半导体研究所凝聚态物理中心,表面物理国家重点实验室,北京 10008 3; (2)中国科学院半导体研究所凝聚态物理中心,表面物理国家重点实验室,北京 10008 3;中国地质大学(北京)材料科学与工程学院,北京 100083
    基金项目: 

    国家重点基础研究发展规划项目(批准号:G2000028201)资助的课题.

摘要: 在对不同晶相比硅薄膜的实验研究的基础上,利用有效介质理论估算了这种两相材料的光吸 收系数、迁移率寿命乘积及带隙宽度等参量,计算机模拟了不同结晶比硅薄膜电池的伏安特 性及光谱响应;结果为随着本征层微晶成分的增多,电池的开路电压逐渐减小,短路电流逐 渐增大,本征层的最佳厚度逐渐增大,填充因子有降低的趋势,电池的效率随晶相比的增大 而减小. 电池的光谱响应曲线表明,随晶相比的增大电池的长波响应明显提高. 根据这些模 拟结果,分析讨论了在考虑Lambertian背反射的情况下,非晶/微晶叠层电池的底电池采用 晶相比为40%—50%的两相硅薄膜材料做本征层是最佳选择.

English Abstract

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