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量子阱吸收谱中的Fano效应

金奎娟 潘少华 杨国桢

量子阱吸收谱中的Fano效应

金奎娟, 潘少华, 杨国桢
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出版历程
  • 收稿日期:  1994-07-13
  • 刊出日期:  1995-05-05

量子阱吸收谱中的Fano效应

  • 1. 中国科学院物理研究所,100080

摘要: 提出在一定的量子阱结构及掺杂浓度下,由于LO声子激发态与电子准连续扩展态的相互耦合,可导致子带跃迁吸收谱的不对称性(亦即Fano线形).推导出此Fano线形的不对称参量的解析表达式,并以GaAg/Al_3Ga_(1-x)As为例,给出几种掺杂浓度和阱结构下的Fano.线形.

English Abstract

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