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基质敏化的Er0.1Gd0.9VO4晶体的红外量子剪裁

陈晓波 徐怡庄 张春林 张会敏 张蕴芝 周固 李崧

基质敏化的Er0.1Gd0.9VO4晶体的红外量子剪裁

陈晓波, 徐怡庄, 张春林, 张会敏, 张蕴芝, 周固, 李崧
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  • 研究了Er0.1Gd0.9VO4晶体材料的红外量子剪裁现象, 发现了较为有趣的基质敏化的红外量子剪裁现象. 即对于1537.5 nm的4I13/24I15/2红外荧光的激发谱存在一个宽而强的337.0 nm波长的激发谱峰,仔细分析可以认定337.0 nm的激发峰对应着基质GdVO4材料的吸收. 同时,发光谱的测量显示337.0 nm光激发Er0.1Gd0.9VO4材料的基质吸收带时导致的1537.5 nm4I13/24I15/2红外荧光的积分强度比其他所有荧光的积分强度的总和大了接近10倍, 它的红外量子剪裁效率仅次于最强的2H11/2能级受激的红外量子剪裁效率且比其他能级都强.
    • 基金项目: 国家自然科学基金(批准号: 10674019)资助的课题.
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出版历程
  • 收稿日期:  2010-12-28
  • 修回日期:  2011-01-28
  • 刊出日期:  2011-10-15

基质敏化的Er0.1Gd0.9VO4晶体的红外量子剪裁

  • 1. 应用光学北京重点实验室,北京师范大学,北京 100875;
  • 2. 北京大学化学与分子工程学院,北京 100871;
  • 3. 中国科学院物理研究所,北京 100080
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号: 10674019)资助的课题.

摘要: 研究了Er0.1Gd0.9VO4晶体材料的红外量子剪裁现象, 发现了较为有趣的基质敏化的红外量子剪裁现象. 即对于1537.5 nm的4I13/24I15/2红外荧光的激发谱存在一个宽而强的337.0 nm波长的激发谱峰,仔细分析可以认定337.0 nm的激发峰对应着基质GdVO4材料的吸收. 同时,发光谱的测量显示337.0 nm光激发Er0.1Gd0.9VO4材料的基质吸收带时导致的1537.5 nm4I13/24I15/2红外荧光的积分强度比其他所有荧光的积分强度的总和大了接近10倍, 它的红外量子剪裁效率仅次于最强的2H11/2能级受激的红外量子剪裁效率且比其他能级都强.

English Abstract

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