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0.18 m MOSFET器件的总剂量辐照效应

刘张李 胡志远 张正选 邵华 宁冰旭 毕大炜 陈明 邹世昌

0.18 m MOSFET器件的总剂量辐照效应

刘张李, 胡志远, 张正选, 邵华, 宁冰旭, 毕大炜, 陈明, 邹世昌
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出版历程
  • 收稿日期:  2010-12-13
  • 修回日期:  2011-02-15
  • 刊出日期:  2011-11-15

0.18 m MOSFET器件的总剂量辐照效应

  • 1. 中国科学院上海微系统与信息技术研究所,信息功能材料国家重点实验室,上海 200050;
  • 2. 中国科学院研究生院,北京 100039
    基金项目: 

    中国科学院微小卫星重点实验室开放基金资助的课题.

摘要: 对0.18 m metal-oxide-semiconductor field-effect-transistor (MOSFET)器件进行射线辐照实验,讨论分析器件辐照前后关态漏电流、阈值电压、跨导、栅电流、亚阈值斜率等特性参数的变化,研究深亚微米器件的总剂量效应. 通过在隔离氧化物中引入等效陷阱电荷,三维模拟结果与实验结果符合很好. 深亚微米器件栅氧化层对总剂量辐照不敏感,浅沟槽隔离氧化物是导致器件性能退化的主要因素.

English Abstract

参考文献 (23)

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