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微结构对Eu掺杂Bi4Ti3O12铁电薄膜铁电性能的影响

吕业刚 梁晓琳 谭永宏 郑学军 龚跃球 何林

微结构对Eu掺杂Bi4Ti3O12铁电薄膜铁电性能的影响

吕业刚, 梁晓琳, 谭永宏, 郑学军, 龚跃球, 何林
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  • 采用金属有机物分解法在Pt/Ti/Si(111)基底上制备了退火温度分别为600℃,650℃,700℃的Bi3.15Eu0.85Ti3O12(BET)铁电薄膜,并对其结构及铁电性能进行了测试,再使用扫描探针显微镜对BET薄膜的电畴翻转进行了实时观测.BET薄膜c畴发生180°畴变的最小电压为+6V,而r畴由于其高四方性,即使极化电压增至+12V也不会发生翻转.薄膜的铁电性主要源于c畴的极化,随着退火温度的升高,c畴的区域面积增加,BET薄膜的剩余极化强度随之增大.退火温度为700℃的BET薄膜剩余极化强度达到84μC/cm2.
    • 基金项目: 湖南永州市科技局(批准号:永科发[2009]20号)资助的课题.
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出版历程
  • 收稿日期:  2010-05-09
  • 修回日期:  2010-06-13
  • 刊出日期:  2011-01-05

微结构对Eu掺杂Bi4Ti3O12铁电薄膜铁电性能的影响

  • 1. (1)湖南科技学院电子工程系,永州 425100; (2)湖南科技学院电子工程系,永州 425100;湘潭大学材料与光电物理学院,湘潭 411105; (3)湘潭大学材料与光电物理学院,湘潭 411105
    基金项目: 

    湖南永州市科技局(批准号:永科发[2009]20号)资助的课题.

摘要: 采用金属有机物分解法在Pt/Ti/Si(111)基底上制备了退火温度分别为600℃,650℃,700℃的Bi3.15Eu0.85Ti3O12(BET)铁电薄膜,并对其结构及铁电性能进行了测试,再使用扫描探针显微镜对BET薄膜的电畴翻转进行了实时观测.BET薄膜c畴发生180°畴变的最小电压为+6V,而r畴由于其高四方性,即使极化电压增至+12V也不会发生翻转.薄膜的铁电性主要源于c畴的极化,随着退火温度的升高,c畴的区域面积增加,BET薄膜的剩余极化强度随之增大.退火温度为700℃的BET薄膜剩余极化强度达到84μC/cm2.

English Abstract

参考文献 (20)

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