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高压下制备的透明低阻n-ZnO陶瓷的表征

秦杰明 张莹 曹建明 田立飞 董中伟 李岳

高压下制备的透明低阻n-ZnO陶瓷的表征

秦杰明, 张莹, 曹建明, 田立飞, 董中伟, 李岳
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  • 本文报道了高压烧结透明低阻ZnO陶瓷的过程,解决了常压下烧结ZnO高阻不透明的问题.在5 GPa,800℃下获得了最佳光电性能的低阻透明ZnO陶瓷,其透过率为49%左右,电阻率为0.57 Ω ·cm,禁带宽度为3.31 eV,载流子浓度为8.36×1017 cm-3,迁移率为23 cm2 ·V-1 ·s-1,良好的n型导电性来自于Zni和Vo
    • 基金项目: 吉林省科技厅项目(批准号:20080510)资助的课题.
    [1]

    Pillai S C, Kelly J M, Mccormack D E, Materials R R 2004 Science and Technology 20 964

    [2]

    Li S T, Cheng P F, Li J Y 2009 Acta. Phys. Sin. 58 S23 (in Chinese) [李盛涛、成鹏飞、赵 雷、李建英 2009 物理学报 58 S23]

    [3]

    Suvaciand E, izgürzer 2005 Journal of the European Ceramic Ociety 25 1663

    [4]

    Qin X J, Shao G J, Lin R P, Wang W K 2005 Acta. Phys. Sin. 54 2409 (in Chinese) [秦秀娟、邵光杰、刘日平、王文魁 2005 物理学报 54 2409]

    [5]

    Jiang L N, Jiang D M, Kyoung H K, Kwang B S 2007 Ceramics International 33 107

    [6]

    Ma Y M, Eremets M, Oganov A R, Yu X, Trojan I, Medvedev S, Lyakhov A O 2009 Nature 458 182

    [7]

    Hanfland M, Loa I, Syassen K 2002 Phys. Rev. B 65 184109

    [8]

    Qin J M, Yao B, Yan Y, Zhang J Y, Jia X P, Zhang Z Z, Li B H, Shan C X, Shen D Z 2009 Appl. Phys. Lett. 95 022101

    [9]

    Tagaya A, Iwata S, Kawanami E, Tsukahara H, Koike Y 2001 Appl. Opt. 40 3677

    [10]

    Ohkita H, Tagaya A, Koike Y 2004 Macromolecules 37 8342

    [11]

    Seko A, Fumiyasu O, Kuwabara A, Tanaka 2005 Phys. Rev. B 72 024107

    [12]

    Kohan A F, Ceder G, Morgan D 2000 Phys. Rev. B 61 15019

    [13]

    Zhang S B, Wei S H, Zunger A 2001 Phys. Rev. B 63 075205

    [14]

    Jae H L, Chang K K, Kyoung K K, Kyu P 2006 Adv. Mater 18 2720

  • [1]

    Pillai S C, Kelly J M, Mccormack D E, Materials R R 2004 Science and Technology 20 964

    [2]

    Li S T, Cheng P F, Li J Y 2009 Acta. Phys. Sin. 58 S23 (in Chinese) [李盛涛、成鹏飞、赵 雷、李建英 2009 物理学报 58 S23]

    [3]

    Suvaciand E, izgürzer 2005 Journal of the European Ceramic Ociety 25 1663

    [4]

    Qin X J, Shao G J, Lin R P, Wang W K 2005 Acta. Phys. Sin. 54 2409 (in Chinese) [秦秀娟、邵光杰、刘日平、王文魁 2005 物理学报 54 2409]

    [5]

    Jiang L N, Jiang D M, Kyoung H K, Kwang B S 2007 Ceramics International 33 107

    [6]

    Ma Y M, Eremets M, Oganov A R, Yu X, Trojan I, Medvedev S, Lyakhov A O 2009 Nature 458 182

    [7]

    Hanfland M, Loa I, Syassen K 2002 Phys. Rev. B 65 184109

    [8]

    Qin J M, Yao B, Yan Y, Zhang J Y, Jia X P, Zhang Z Z, Li B H, Shan C X, Shen D Z 2009 Appl. Phys. Lett. 95 022101

    [9]

    Tagaya A, Iwata S, Kawanami E, Tsukahara H, Koike Y 2001 Appl. Opt. 40 3677

    [10]

    Ohkita H, Tagaya A, Koike Y 2004 Macromolecules 37 8342

    [11]

    Seko A, Fumiyasu O, Kuwabara A, Tanaka 2005 Phys. Rev. B 72 024107

    [12]

    Kohan A F, Ceder G, Morgan D 2000 Phys. Rev. B 61 15019

    [13]

    Zhang S B, Wei S H, Zunger A 2001 Phys. Rev. B 63 075205

    [14]

    Jae H L, Chang K K, Kyoung K K, Kyu P 2006 Adv. Mater 18 2720

  • [1] 刘英光, 边永庆, 韩中合. 包含倾斜晶界的双晶ZnO的热输运行为. 物理学报, 2020, 69(3): 033101. doi: 10.7498/aps.69.20190627
    [2] 汪静丽, 陈子玉, 陈鹤鸣. 基于Si3N4/SiNx/Si3N4三明治结构的偏振无关1 × 2多模干涉型解复用器的设计. 物理学报, 2020, 69(5): 054206. doi: 10.7498/aps.69.20191449
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  • 被引次数: 0
出版历程
  • 收稿日期:  2010-05-29
  • 修回日期:  2010-06-09
  • 刊出日期:  2011-03-15

高压下制备的透明低阻n-ZnO陶瓷的表征

  • 1. 长春理工大学材料科学与工程学院,长春 1300222
    基金项目: 

    吉林省科技厅项目(批准号:20080510)资助的课题.

摘要: 本文报道了高压烧结透明低阻ZnO陶瓷的过程,解决了常压下烧结ZnO高阻不透明的问题.在5 GPa,800℃下获得了最佳光电性能的低阻透明ZnO陶瓷,其透过率为49%左右,电阻率为0.57 Ω ·cm,禁带宽度为3.31 eV,载流子浓度为8.36×1017 cm-3,迁移率为23 cm2 ·V-1 ·s-1,良好的n型导电性来自于Zni和Vo

English Abstract

参考文献 (14)

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