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Co含量对Bi6Fe2-xCoxTi3O18样品多铁性的影响

毛翔宇 邹保文 孙慧 陈春燕 陈小兵

Co含量对Bi6Fe2-xCoxTi3O18样品多铁性的影响

毛翔宇, 邹保文, 孙慧, 陈春燕, 陈小兵
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  • 用固相工艺制备了Bi6Fe2-xCoxTi3O18 (BFCT-x, x=0, 0.2, 0.6, 0.8, 1.0, 1.2, 1.6, 1.8, 和2.0)多铁陶瓷样品, 样品X射线谱分析发现, 随着Co含量的增加, 样品晶格常数出现了先增大后减小的变化. 室温下, BFCT-0.6样品呈现出相对较高的饱和磁化强度, 2Ms约为4.49 emu/g, BFCT-1.0具有最高的剩余磁化强度, 2Mr约为0.89 emu/g. Co含量在0.2 xqslant 1.2范围内, 随着Co含量的增加样品顺磁铁磁相变温度从752 K降至372 K. 小量的Co改善了样品的铁电性能, 当x=0.6时样品样品的铁电性能最佳, 随着含量增大样品铁电性能下降, 但当x 1.2时样品的铁电性能又得到了改善.
      通信作者: 陈小兵, xbchen@yzu.edu.cn
    • 基金项目: 国家自然科学基金(批准号: 51402256, 11374227)资助的课题.
    [1]

    Wang J, Neaton J B, Zheng H, Nagarajan V, Ogale S B, Liu B, Viehland D, Vaithyanathan V, Schlom D G, Waghamare U V, Spaldine N A, Rabe K M, Wattig M, Ramesh R 2003 Science 299 1719

    [2]

    Hill N A 2000 J. Phys. Chem. B 104 6694

    [3]

    Ramesh R, Spaldin N A 2007 Nature Mater. 6 21

    [4]

    Wang K F, Liu J M, Ren Z F 2009 Adv. Phys. 58 321

    [5]

    Dong X W, Wang K F, Wan J G, Zhu J S, Liu J M 2008 J. Appl. Phys. 103 094101

    [6]

    Mao X Y, Wang W, Chen X B, Lu Y L 2009 Appl. Phys. Lett. 95 082901

    [7]

    Snedden A, Hervoches C H, Lightfoot P 2003 Phys. Rve. B 67 092102

    [8]

    Yuan B, Yang J, Song D P, Zuo X Z, Tang X W, Zhu X B, Dai J M, Song W H, Sun Y P 2015 J. Appl. Phys. 117 023907

    [9]

    Patwe S J, Achary S N, Manjanna J, Tyagi A K, Deshpande S K, Mishra S K, Krishna P S R, ShindeA B 2013 Appl. Phys. Lett. 103 122901

    [10]

    Kubel F, Schmid H 1992 Ferroelectrics 129 101

    [11]

    Fouskova A, Cross L E 1970 J. Appl. Phys. 41 2834

    [12]

    Neaton J B, Ederer C, Waghmare U V, Spaldin N A, Rabe K M 2005 Phys. Rev. B 71 014113

    [13]

    Singh R S, Bhimasankararn T, Kumar G S, Suryanarayana S V 1994 Solid State Commun. 91 567

    [14]

    Mao X Y, Wang W, Chen X B 2008 Solid State Commun. 147 186

    [15]

    Hu X, Wang W, Mao X Y, Chen X B 2010 Acta Phys. Sin. 59 8160 (in Chinese) [胡星, 王伟, 毛翔宇, 陈小兵 2010 物理学报 59 8160]

    [16]

    Yang J, Tong W, Liu Z, Zhu X B, Dai J M, Song W H, 1 Yang Z R, Sun Y P 2012 Phys. Rve. B 86 104410

    [17]

    Yang J, Yin L H, Liu Z, Zhu X B, Song W H, Dai J M, Yang Z R, Sun Y P 2012 Appl. Phys. Lett. 101 012402

    [18]

    Palizdar M, Comyn T P, Ward M B, Brown A P, Harrington J P, Kulkarni S, Keeney L, Roy S, Pemble M, Whatmore R, Quinn C, Kilcoyne S H, Bell A J 2012 J. Appl. Phys. 112 073919

    [19]

    Chen C Y, Hou S, Mao X Y, Chen X B 2013 Mater. Sci. Forum 745 142

    [20]

    Yuan B, Yang J, Chen J, Zuo X Z, Yin L H, Tang X W, Zhu X B, Dai J M, Song W H, Sun Y P 2014 Appl. Phys. Lett. 104 062413

    [21]

    Shannon R D 1976 Acta Crystallogr., Sect. A: Cryst. Phys., Diffr., Theor. Gen. Crystallogr 32 751

    [22]

    Rondinelli J M, Spaldin N A 2009 Phys. Rev. B 79 054409

    [23]

    Song G L, Luo Y P, Su J, Zhou X H, Chang F G 2013 Acta Phys. Sin. 62 097502 (in Chinese) [宋桂林, 罗艳萍, 苏健, 周晓辉, 常方高 2013 物理学报 62 097502]

    [24]

    Cai M Q, Liu J C, Yang G W, Cao Y L, Tan X, Yi X, Wang Y G, Wang L L, Hu W Y 2007 J. Chem. Phys. 126 154708

    [25]

    Zhang H, Liu Y J, Pan L H, Zhang Y 2009 Acta. Phys. Sin. 58 7141 (in Chinese) [张晖, 刘拥军, 潘丽华, 张瑜 2009 物理学报 58 7141]

    [26]

    Sun H, Lu X M, Xu T T, Su J, Jin Y M, Ju C C, Huang F Z, Zhu J S 2012 J. Appl. Phys. 111 124116

    [27]

    Mao X Y, Wei W, Hui S, Lu Y L, Chen X B 2012 J. Mater. Sci. 47 2960

    [28]

    Liu Z, Yang J, Tang X W, Yin L H, Zhu X B, Dai J M, Sun Y P 2012 Appl. Phys. Lett. 101 122402

    [29]

    Li J B, Huang Y P, Rao G H, Liu G Y, Luo J, Chen J R, Liang J K 2010 Appl. Phys. Lett. 96 222903

    [30]

    Shimakawa Y, Kubo Y, Nakagawa Y, Goto S, Kamiyama T, Asano H, Izumi F 2000 Phys. Rev. B 61 6559

  • [1]

    Wang J, Neaton J B, Zheng H, Nagarajan V, Ogale S B, Liu B, Viehland D, Vaithyanathan V, Schlom D G, Waghamare U V, Spaldine N A, Rabe K M, Wattig M, Ramesh R 2003 Science 299 1719

    [2]

    Hill N A 2000 J. Phys. Chem. B 104 6694

    [3]

    Ramesh R, Spaldin N A 2007 Nature Mater. 6 21

    [4]

    Wang K F, Liu J M, Ren Z F 2009 Adv. Phys. 58 321

    [5]

    Dong X W, Wang K F, Wan J G, Zhu J S, Liu J M 2008 J. Appl. Phys. 103 094101

    [6]

    Mao X Y, Wang W, Chen X B, Lu Y L 2009 Appl. Phys. Lett. 95 082901

    [7]

    Snedden A, Hervoches C H, Lightfoot P 2003 Phys. Rve. B 67 092102

    [8]

    Yuan B, Yang J, Song D P, Zuo X Z, Tang X W, Zhu X B, Dai J M, Song W H, Sun Y P 2015 J. Appl. Phys. 117 023907

    [9]

    Patwe S J, Achary S N, Manjanna J, Tyagi A K, Deshpande S K, Mishra S K, Krishna P S R, ShindeA B 2013 Appl. Phys. Lett. 103 122901

    [10]

    Kubel F, Schmid H 1992 Ferroelectrics 129 101

    [11]

    Fouskova A, Cross L E 1970 J. Appl. Phys. 41 2834

    [12]

    Neaton J B, Ederer C, Waghmare U V, Spaldin N A, Rabe K M 2005 Phys. Rev. B 71 014113

    [13]

    Singh R S, Bhimasankararn T, Kumar G S, Suryanarayana S V 1994 Solid State Commun. 91 567

    [14]

    Mao X Y, Wang W, Chen X B 2008 Solid State Commun. 147 186

    [15]

    Hu X, Wang W, Mao X Y, Chen X B 2010 Acta Phys. Sin. 59 8160 (in Chinese) [胡星, 王伟, 毛翔宇, 陈小兵 2010 物理学报 59 8160]

    [16]

    Yang J, Tong W, Liu Z, Zhu X B, Dai J M, Song W H, 1 Yang Z R, Sun Y P 2012 Phys. Rve. B 86 104410

    [17]

    Yang J, Yin L H, Liu Z, Zhu X B, Song W H, Dai J M, Yang Z R, Sun Y P 2012 Appl. Phys. Lett. 101 012402

    [18]

    Palizdar M, Comyn T P, Ward M B, Brown A P, Harrington J P, Kulkarni S, Keeney L, Roy S, Pemble M, Whatmore R, Quinn C, Kilcoyne S H, Bell A J 2012 J. Appl. Phys. 112 073919

    [19]

    Chen C Y, Hou S, Mao X Y, Chen X B 2013 Mater. Sci. Forum 745 142

    [20]

    Yuan B, Yang J, Chen J, Zuo X Z, Yin L H, Tang X W, Zhu X B, Dai J M, Song W H, Sun Y P 2014 Appl. Phys. Lett. 104 062413

    [21]

    Shannon R D 1976 Acta Crystallogr., Sect. A: Cryst. Phys., Diffr., Theor. Gen. Crystallogr 32 751

    [22]

    Rondinelli J M, Spaldin N A 2009 Phys. Rev. B 79 054409

    [23]

    Song G L, Luo Y P, Su J, Zhou X H, Chang F G 2013 Acta Phys. Sin. 62 097502 (in Chinese) [宋桂林, 罗艳萍, 苏健, 周晓辉, 常方高 2013 物理学报 62 097502]

    [24]

    Cai M Q, Liu J C, Yang G W, Cao Y L, Tan X, Yi X, Wang Y G, Wang L L, Hu W Y 2007 J. Chem. Phys. 126 154708

    [25]

    Zhang H, Liu Y J, Pan L H, Zhang Y 2009 Acta. Phys. Sin. 58 7141 (in Chinese) [张晖, 刘拥军, 潘丽华, 张瑜 2009 物理学报 58 7141]

    [26]

    Sun H, Lu X M, Xu T T, Su J, Jin Y M, Ju C C, Huang F Z, Zhu J S 2012 J. Appl. Phys. 111 124116

    [27]

    Mao X Y, Wei W, Hui S, Lu Y L, Chen X B 2012 J. Mater. Sci. 47 2960

    [28]

    Liu Z, Yang J, Tang X W, Yin L H, Zhu X B, Dai J M, Sun Y P 2012 Appl. Phys. Lett. 101 122402

    [29]

    Li J B, Huang Y P, Rao G H, Liu G Y, Luo J, Chen J R, Liang J K 2010 Appl. Phys. Lett. 96 222903

    [30]

    Shimakawa Y, Kubo Y, Nakagawa Y, Goto S, Kamiyama T, Asano H, Izumi F 2000 Phys. Rev. B 61 6559

  • [1] 陈诚, 卢建安, 杜微, 王伟, 毛翔宇, 陈小兵. Nd含量对Bi6−xNdxFe1.4Ni0.6Ti3O18多晶材料多铁性的影响. 物理学报, 2019, 68(3): 037701. doi: 10.7498/aps.68.20181287
    [2] 惠荣, 朱骏, 卢网平, 毛翔宇, 羌锋, 陈小兵. La掺杂诱发层状钙钛矿型铁电体弛豫性相变的介电研究. 物理学报, 2004, 53(1): 276-281. doi: 10.7498/aps.53.276
    [3] 张丽娜, 赵苏串, 郑嘹赢, 李国荣, 殷庆瑞. 复合层状Bi7Ti4NbO21铁电陶瓷的结构与介电和压电性能研究. 物理学报, 2005, 54(5): 2346-2351. doi: 10.7498/aps.54.2346
    [4] 杨如霞, 卢玉明, 曾丽竹, 张禄佳, 李冠男. 钆掺杂对0.7BiFe0.95Ga0.05O3-0.3BaTiO3陶瓷的结构、介电性能和多铁性能的影响. 物理学报, 2020, 69(10): 107701. doi: 10.7498/aps.69.20200175
    [5] 韩立安, 陈长乐, 董慧迎, 王建元, 高国棉, 罗炳成. 层状钙钛矿La1.3Sr1.7Mn2-xCuxO7的磁性及电特性. 物理学报, 2008, 57(1): 541-544. doi: 10.7498/aps.57.541
    [6] 刘鹏, 边小兵, 张良莹, 姚熹. (PbBa)(Zr,Sn,Ti)O_3反铁电/弛豫型铁电相界陶瓷的相变与介电、热释电性质. 物理学报, 2002, 51(7): 1628-1633. doi: 10.7498/aps.51.1628
    [7] 刘鹏, 姚熹. La调节Pb(Zr,Sn,Ti)O_3反铁电陶瓷的相变与电学性质. 物理学报, 2002, 51(7): 1621-1627. doi: 10.7498/aps.51.1621
    [8] 伍君博, 唐新桂, 贾振华, 陈东阁, 蒋艳平, 刘秋香. 钇和镧掺杂氧化铝陶瓷的热导及其介电弛豫特性研究. 物理学报, 2012, 61(20): 207702. doi: 10.7498/aps.61.207702
    [9] 周龙, 王潇, 张慧敏, 申旭东, 董帅, 龙有文. 多阶有序钙钛矿多铁性材料的高压制备与物性. 物理学报, 2018, 67(15): 157505. doi: 10.7498/aps.67.20180878
    [10] 吴枚霞, 李满荣. 异常双钙钛矿A2BB'O6氧化物的多铁性. 物理学报, 2018, 67(15): 157510. doi: 10.7498/aps.67.20180817
    [11] 赵润, 杨浩. 多铁性钙钛矿薄膜的氧空位调控研究进展. 物理学报, 2018, 67(15): 156101. doi: 10.7498/aps.67.20181028
    [12] 丁南, 唐新桂, 匡淑娟, 伍君博, 刘秋香, 何琴玉. 锰掺杂对Ba(Zr, Ti)O3陶瓷压电与介电性能的影响. 物理学报, 2010, 59(9): 6613-6619. doi: 10.7498/aps.59.6613
    [13] 赵学童, 廖瑞金, 李建英, 王飞鹏. 直流老化对CaCu3Ti4O12陶瓷介电性能的影响. 物理学报, 2015, 64(12): 127701. doi: 10.7498/aps.64.127701
    [14] 曾 涛, 董显林, 毛朝梁, 梁瑞虹, 杨 洪. 孔隙率及晶粒尺寸对多孔PZT陶瓷介电和压电性能的影响及机理研究. 物理学报, 2006, 55(6): 3073-3079. doi: 10.7498/aps.55.3073
    [15] 刘恩华, 陈钊, 温晓莉, 陈长乐. 顺磁性La2/3Sr1/3MnO3层对Bi0.8Ba0.2FeO3薄膜多铁性能的影响. 物理学报, 2016, 65(11): 117701. doi: 10.7498/aps.65.117701
    [16] 李智敏, 施建章, 卫晓黑, 李培咸, 黄云霞, 李桂芳, 郝跃. 掺铝3C-SiC电子结构的第一性原理计算及其微波介电性能. 物理学报, 2012, 61(23): 237103. doi: 10.7498/aps.61.237103
    [17] 李国荣, 张丽娜, 王天宝, 丁爱丽, 赵苏串. Na0.25K0.25Bi0.5TiO3无铅压电陶瓷的介电特性研究. 物理学报, 2006, 55(7): 3711-3715. doi: 10.7498/aps.55.3711
    [18] 朱珺钏, 金灿, 陈小兵, 单丹. B位等价掺杂SrBi4Ti4O15铁电材料的性能研究. 物理学报, 2009, 58(10): 7235-7240. doi: 10.7498/aps.58.7235
    [19] 王辉, 蔺家骏, 何锦强, 廖永力, 李盛涛. 沉淀剂对ZnO压敏陶瓷缺陷结构和电气性能的影响. 物理学报, 2013, 62(22): 226103. doi: 10.7498/aps.62.226103
    [20] 黄禹田, 王煜, 朱敏敏, 吕婷, 杨洪春, 李翔, 王秀章, 刘美风, 李少珍. (1-x)Sr3Sn2O7+xCa3Mn2O7陶瓷合成及其光电性能. 物理学报, 2018, 67(15): 154203. doi: 10.7498/aps.67.20180954
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出版历程
  • 收稿日期:  2015-05-24
  • 修回日期:  2015-07-20
  • 刊出日期:  2015-11-05

Co含量对Bi6Fe2-xCoxTi3O18样品多铁性的影响

  • 1. 扬州大学物理科学与技术学院, 扬州 225002
  • 通信作者: 陈小兵, xbchen@yzu.edu.cn
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号: 51402256, 11374227)资助的课题.

摘要: 用固相工艺制备了Bi6Fe2-xCoxTi3O18 (BFCT-x, x=0, 0.2, 0.6, 0.8, 1.0, 1.2, 1.6, 1.8, 和2.0)多铁陶瓷样品, 样品X射线谱分析发现, 随着Co含量的增加, 样品晶格常数出现了先增大后减小的变化. 室温下, BFCT-0.6样品呈现出相对较高的饱和磁化强度, 2Ms约为4.49 emu/g, BFCT-1.0具有最高的剩余磁化强度, 2Mr约为0.89 emu/g. Co含量在0.2 xqslant 1.2范围内, 随着Co含量的增加样品顺磁铁磁相变温度从752 K降至372 K. 小量的Co改善了样品的铁电性能, 当x=0.6时样品样品的铁电性能最佳, 随着含量增大样品铁电性能下降, 但当x 1.2时样品的铁电性能又得到了改善.

English Abstract

参考文献 (30)

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