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p型金属氧化物半导体场效应晶体管界面态的积累对单粒子电荷共享收集的影响

陈建军 陈书明 梁斌 刘必慰 池雅庆 秦军瑞 何益百

p型金属氧化物半导体场效应晶体管界面态的积累对单粒子电荷共享收集的影响

陈建军, 陈书明, 梁斌, 刘必慰, 池雅庆, 秦军瑞, 何益百
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  • 由于负偏置温度不稳定性和热载流子注入,p型金属氧化物半导体场效应晶体管(pMOSFET)将在工作中不断退化,而其SiO2/Si界面处界面态的积累是导致其退化的主要原因之一. 采用三维器件数值模拟方法,基于130 nm体硅工艺,研究了界面态的积累对相邻pMOSFET之间单粒子电荷共享收集的影响. 研究发现,随着pMOSFET SiO2/Si界面处界面态的积累,相邻pMOSFET漏端的单粒子电荷共享收集量均减少. 还研究了界面态的积累对相邻反相器中单粒子电荷共享收集
    • 基金项目: 国家自然科学基金重点项目(批准号:60836004)和国家自然科学基金(批准号:61006070)资助的课题.
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出版历程
  • 收稿日期:  2010-09-03
  • 修回日期:  2011-03-29
  • 刊出日期:  2011-08-15

p型金属氧化物半导体场效应晶体管界面态的积累对单粒子电荷共享收集的影响

  • 1. 国防科学技术大学计算机学院,长沙 410073
    基金项目: 

    国家自然科学基金重点项目(批准号:60836004)和国家自然科学基金(批准号:61006070)资助的课题.

摘要: 由于负偏置温度不稳定性和热载流子注入,p型金属氧化物半导体场效应晶体管(pMOSFET)将在工作中不断退化,而其SiO2/Si界面处界面态的积累是导致其退化的主要原因之一. 采用三维器件数值模拟方法,基于130 nm体硅工艺,研究了界面态的积累对相邻pMOSFET之间单粒子电荷共享收集的影响. 研究发现,随着pMOSFET SiO2/Si界面处界面态的积累,相邻pMOSFET漏端的单粒子电荷共享收集量均减少. 还研究了界面态的积累对相邻反相器中单粒子电荷共享收集

English Abstract

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