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射频溅射无定形硅的总空位体积分数

费庆宇 黄炳忠

射频溅射无定形硅的总空位体积分数

费庆宇, 黄炳忠
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出版历程
  • 收稿日期:  1984-07-02
  • 刊出日期:  1985-11-20

射频溅射无定形硅的总空位体积分数

  • 1. (1)电子工业部中国电子产品可靠性与环境试验研究所; (2)中山大学物理系

摘要: 本文叙述了借助于有效介质理论,利用椭圆偏振光谱测算a-Si的总空位体积分数的方法。不同氩压力条件下射频溅射制备的a-Si薄膜的电学性质和光学性质的变化借助于它们的总空位体积分数的变化可以得到满意的解释。这说明测定a-Si薄膜的总空位体积分数是有意义的。测量结果表明,总空位体积分数与氩原子占据的体积分数一致。

English Abstract

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